ผลิตภัณฑ์

บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > วิชญ์ ไอซี > (อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบ IC ชิป IC วงจรบูรณาการ) SI2301CDS-T1-GE3

ประเภท

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

(1486)

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(161)

เครื่องกันและ เครื่องประปา

(3067)

ติดต่อ

ติดต่อ: Miss. Amy

โทรศัพท์: 86-180-3344-1064

แฟ็กซ์:

ติดต่อตอนนี้

โทรหาเรา

(อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบ IC ชิป IC วงจรบูรณาการ) SI2301CDS-T1-GE3

รายละเอียดสินค้า

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 10 ชิ้น

ราคา: $3.45/pieces 10-99 pieces

รายละเอียดการบรรจุ: The goods will be packed in carton which wrapped all by adhesive tape. สินค้าจะถูกบรรจุในก

สามารถในการผลิต: 10,000 ชิ้น / ชิ้นต่อวัน

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า

เน้น:

ซีรี่ย์:

SI2301CDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1-GE3

คําอธิบาย:

SI2301CDS-T1-GE3

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:

SI2301CDS-T1-GE3

ประเภท:

ไมโครคอนโทรลเลอร์

ผู้ผลิต:

วิ-เช

รหัสวันที่ผลิต:

ทสส.-20

ประเภทโมดูล/บอร์ด:

มาตรฐาน

โปรเซสเซอร์หลัก:

มาตรฐาน ARMR Cor texR-M4

โปรเซสเซอร์ร่วม:

มาตรฐาน

ความเร็ว:

มาตรฐาน

ขนาดแฟลช:

มาตรฐาน

ขนาดแรม:

มาตรฐาน

ประเภทตัวเชื่อมต่อ:

มาตรฐาน

ขนาด/มิติ:

มาตรฐาน

บรรจุภัณฑ์:

มาตรฐาน

การเชื่อมต่อ:

CANbus, DCMI, EBI/EMI, อีเธอร์เน็ต, CANbus, DCMI, EBI/EMI, อีเธอร์เน็ต, I2C, IrDA, LINbus, SPI, UART

อุปกรณ์ต่อพ่วง:

มาตรฐาน

จำนวน I/O:

มาตรฐาน

ขนาดหน่วยความจำของโปรแกรม:

มาตรฐาน

ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม:

มาตรฐาน

ขนาดอีพรอม:

มาตรฐาน

แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd):

มาตรฐาน

ตัวแปลงข้อมูล:

มาตรฐาน

ประเภทออสซิลเลเตอร์:

มาตรฐาน

ชุดคอนโทรลเลอร์:

มาตรฐาน

อินเตอร์เฟซ:

มาตรฐาน

โลเตจ - การให้บริการ:

มาตรฐาน

กล่อง / กระเป๋า:

มาตรฐาน

จำนวนคอร์/ความกว้างบัส:

มาตรฐาน

การเร่งกราฟิก:

มาตรฐาน

ตัวควบคุมการแสดงผลและส่วนต่อประสาน:

มาตรฐาน

ยูเอสบี:

มาตรฐาน

แรงดันไฟฟ้า - I/O:

มาตรฐาน

การอ้างอิงข้าม:

มาตรฐาน

การใช้งาน:

วิ-เช

ขนาดแกน:

ถามฉัน

ประเภทสินค้า:

ตัวควบคุมและไดรเวอร์มอเตอร์ / โมชั่น / การจุดระเบิด

ความถี่:

168MHz

สถานะวงจรชีวิต:

ใช้งานอยู่ (อัพเดตล่าสุด: 7 เดือนที่แล้ว)

ประเภทการติดตั้ง:

การติดตั้งพื้นผิว

จัดส่งโดย:

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK โพสต์

การรับประกัน:

1 ปี

ท่าเรือ:

เชียงใหม่

ซีรี่ย์:

SI2301CDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1-GE3

คําอธิบาย:

SI2301CDS-T1-GE3

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:

SI2301CDS-T1-GE3

ประเภท:

ไมโครคอนโทรลเลอร์

ผู้ผลิต:

วิ-เช

รหัสวันที่ผลิต:

ทสส.-20

ประเภทโมดูล/บอร์ด:

มาตรฐาน

โปรเซสเซอร์หลัก:

มาตรฐาน ARMR Cor texR-M4

โปรเซสเซอร์ร่วม:

มาตรฐาน

ความเร็ว:

มาตรฐาน

ขนาดแฟลช:

มาตรฐาน

ขนาดแรม:

มาตรฐาน

ประเภทตัวเชื่อมต่อ:

มาตรฐาน

ขนาด/มิติ:

มาตรฐาน

บรรจุภัณฑ์:

มาตรฐาน

การเชื่อมต่อ:

CANbus, DCMI, EBI/EMI, อีเธอร์เน็ต, CANbus, DCMI, EBI/EMI, อีเธอร์เน็ต, I2C, IrDA, LINbus, SPI, UART

อุปกรณ์ต่อพ่วง:

มาตรฐาน

จำนวน I/O:

มาตรฐาน

ขนาดหน่วยความจำของโปรแกรม:

มาตรฐาน

ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม:

มาตรฐาน

ขนาดอีพรอม:

มาตรฐาน

แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd):

มาตรฐาน

ตัวแปลงข้อมูล:

มาตรฐาน

ประเภทออสซิลเลเตอร์:

มาตรฐาน

ชุดคอนโทรลเลอร์:

มาตรฐาน

อินเตอร์เฟซ:

มาตรฐาน

โลเตจ - การให้บริการ:

มาตรฐาน

กล่อง / กระเป๋า:

มาตรฐาน

จำนวนคอร์/ความกว้างบัส:

มาตรฐาน

การเร่งกราฟิก:

มาตรฐาน

ตัวควบคุมการแสดงผลและส่วนต่อประสาน:

มาตรฐาน

ยูเอสบี:

มาตรฐาน

แรงดันไฟฟ้า - I/O:

มาตรฐาน

การอ้างอิงข้าม:

มาตรฐาน

การใช้งาน:

วิ-เช

ขนาดแกน:

ถามฉัน

ประเภทสินค้า:

ตัวควบคุมและไดรเวอร์มอเตอร์ / โมชั่น / การจุดระเบิด

ความถี่:

168MHz

สถานะวงจรชีวิต:

ใช้งานอยู่ (อัพเดตล่าสุด: 7 เดือนที่แล้ว)

ประเภทการติดตั้ง:

การติดตั้งพื้นผิว

จัดส่งโดย:

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK โพสต์

การรับประกัน:

1 ปี

ท่าเรือ:

เชียงใหม่

(อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบ IC ชิป IC วงจรบูรณาการ) SI2301CDS-T1-GE3

ปริมาตรสินค้า

MT41K256M16TW-107 IT:P
เลขส่วนของ Digi-Key
SI2301CDS-T1-GE3TR-ND - เทปและรีล (TR)
SI2301CDS-T1-GE3CT-ND - เทปตัด (CT)
SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต
Vishay ซิลิคอนิกซ์
จํานวนสินค้าของผู้ผลิต
SI2301CDS-T1-GE3
คําอธิบาย
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
ระยะเวลาการผลิตตามมาตรฐาน
99 สัปดาห์
คําอธิบายรายละเอียด
P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) การติดตั้งพื้นผิว SOT-23-3 (TO-236)

ผู้ผลิต:
วิชัย
ประเภทสินค้า:
MOSFET
RoHS:
รายละเอียด
เทคโนโลยี
ใช่
สไตล์การติดตั้ง:
SMD/SMT
กล่อง / กระเป๋า:
SOT-23-3
ทรานซิสเตอร์ขั้วขั้ว
ช่อง P
จํานวนช่อง:
ช่อง 1
Vds - ความดันการแยกของแหล่งระบายน้ํา:
20 วอล
Id - กระแสระบายน้ําต่อเนื่อง:
3.1 A
Rds ON - ความต้านทานของแหล่งระบายน้ํา:
112 mOhms
Vgs - ความดันของแหล่งประตู:
- 8 วอลล์ + 8 วอลล์
Vgs th - ความดันขั้นต่ําของแหล่งประตู:
1 V
Qg - การชาร์จประตู:
3.3 nC
อุณหภูมิการทํางานขั้นต่ํา:
- 55 ซี
อุณหภูมิการทํางานสูงสุด
+ 150 C
Pd - การสลายพลังงาน:
1.6W
รูปแบบช่อง:
การเสริม
ชื่อทางการค้า:
TrenchFET
ซีรี่ย์:
SI2
การบรรจุ:
รีล
การบรรจุ:
ตัดเทป
การบรรจุ:
MouseReel
ยี่ห้อ:
วีชาย เซมคอนดักเตอร์
การตั้งค่า:
เพียงคนเดียว
เวลาตก:
10 ns
ประเภทสินค้า:
MOSFET
เวลาขึ้น:
35 ns
จํานวนที่บรรจุจากโรงงาน:
3000
หมวดย่อย:
MOSFETs
ประเภทของทรานซิสเตอร์:
1 ช่อง P
ระยะเวลาการปิดแบบปกติ:
30 ns
ระยะเวลาการเปิดแบบปกติ:
11 ns
ส่วน # ชื่อเล่น:
SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
น้ําหนักหน่วย:
0.000282 oz

ประโยชน์ ของ เรา

โปรไฟล์บริษัท

แนะนําสินค้า

เทคนิคการผลิต

FAQ

FAQ
Q1: เกี่ยวกับการอ้างอิงของ IC BOM?
A1: บริษัทมีช่องทางการจัดซื้อของผู้ผลิตวงจรบูรณาการเดิมในประเทศและต่างประเทศ และทีมวิเคราะห์ทางการแก้ไขสินค้ามืออาชีพเพื่อเลือกองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ราคาถูกสําหรับลูกค้า.Q2: โปรโมชั่นสําหรับ PCB และ PCBA
A2: ทีมงานมืออาชีพของบริษัทจะวิเคราะห์ช่วงการใช้งานของ PCB และ PCBA การแก้ไขที่ให้บริการโดยลูกค้าและความต้องการปารามิเตอร์ขององค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์แต่ละและในที่สุดก็ให้ลูกค้า มีคุณภาพสูงและราคาถูก.
Q3:เกี่ยวกับการออกแบบชิปเพื่อผลิตภัณฑ์เสร็จ?
A3: เรามีชุดที่สมบูรณ์แบบของการออกแบบเวฟเฟอร์, การผลิตเวฟเฟอร์, การทดสอบเวฟเฟอร์, การบรรจุและการบูรณาการ IC, และบริการตรวจสอบสินค้า IC.
Q4: บริษัทของเรามีข้อกําหนดปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ํา (MOQ)?
A4: ไม่, เราไม่มีความต้องการ MOQ, เราสามารถสนับสนุนโครงการของคุณเริ่มต้นจากต้นแบบการผลิตจํานวนมาก.
Q5: วิธีการที่จะทําให้แน่ใจว่าข้อมูลของลูกค้าไม่รั่ว?
A5: เราพร้อมที่จะเซ็น NDA โดยกฎหมายท้องถิ่นด้านลูกค้า และสัญญาที่จะรักษาข้อมูลลูกค้าในระดับความลับสูง

Tags:

SI2302ADS-T1-E3 Vishay IC,

MOSFET-TC4424AVOA713 Vishay IC,

ชิปหน่วยความจำ IC IS62WV51216BLL-55TLI

ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน

วิดีโอ

S525T-GS08 VISHAY IC Surface Mount SOT-223 S525T ทรานซิสเตอร์ RF MOSFET

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

วิดีโอ

IRFL014TRPBF Vishay IC ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ Surface Mount SOT-223 IRFL014

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

วิดีโอ

วงจรรวม Vishay IC Vishay MOSFET-TC4424AVOA713

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

วิดีโอ

VISHAY GSOT05C-E3-08 การติดตั้งชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ชิป Ic SMD / SMT

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

วิดีโอ

สต็อก Vishay IC ชิปหน่วยความจำ Ic IS62WV51216BLL-55TLI รองรับ IC BOM

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

Si9953ADY-T1-GE3 Si9953ADY-T1-GE3 Vishay IC VSSAF512-M3/H

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

Si9953DY-T1-E3 MOSFET วงจรบูรณาการ Vi-Shay VSSAF56-M3/6A

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

Si9953DY-T1-GE3 Vishay IC VSSAF5M10HM3/H MOSFET วงจรบูรณาการ

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

SIHFL014TR-GE3วงจรบูรณาการ Vi-Shay VSSAF5M10-M3/I MOSFET N-CHANNEL 60V

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

SQ4410EY-T1-E3 Vi-Shay VSSAF5M12HM3/H N-Channel MOSFET IC 30 วอล 15A

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

SQ4410EY-T1-GE3 เครื่องจักรยานยนต์ N-Channel MOSFET 30V 15A Vi-Shay VSSAF5M12-M3/H ติดผิว

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

ซีรี่ย์:	SI2301CDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1-GE3	คําอธิบาย:	SI2301CDS-T1-GE3
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	SI2301CDS-T1-GE3	ประเภท:	ไมโครคอนโทรลเลอร์
ผู้ผลิต:	วิ-เช	รหัสวันที่ผลิต:	ทสส.-20
ประเภทโมดูล/บอร์ด:	มาตรฐาน	โปรเซสเซอร์หลัก:	มาตรฐาน ARMR Cor texR-M4
โปรเซสเซอร์ร่วม:	มาตรฐาน	ความเร็ว:	มาตรฐาน
ขนาดแฟลช:	มาตรฐาน	ขนาดแรม:	มาตรฐาน
ประเภทตัวเชื่อมต่อ:	มาตรฐาน	ขนาด/มิติ:	มาตรฐาน
บรรจุภัณฑ์:	มาตรฐาน	การเชื่อมต่อ:	CANbus, DCMI, EBI/EMI, อีเธอร์เน็ต, CANbus, DCMI, EBI/EMI, อีเธอร์เน็ต, I2C, IrDA, LINbus, SPI, UART
อุปกรณ์ต่อพ่วง:	มาตรฐาน	จำนวน I/O:	มาตรฐาน
ขนาดหน่วยความจำของโปรแกรม:	มาตรฐาน	ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม:	มาตรฐาน
ขนาดอีพรอม:	มาตรฐาน	แรงดัน - แหล่งจ่าย (Vcc/Vdd):	มาตรฐาน
ตัวแปลงข้อมูล:	มาตรฐาน	ประเภทออสซิลเลเตอร์:	มาตรฐาน
ชุดคอนโทรลเลอร์:	มาตรฐาน	อินเตอร์เฟซ:	มาตรฐาน
โลเตจ - การให้บริการ:	มาตรฐาน	กล่อง / กระเป๋า:	มาตรฐาน
จำนวนคอร์/ความกว้างบัส:	มาตรฐาน	การเร่งกราฟิก:	มาตรฐาน
ตัวควบคุมการแสดงผลและส่วนต่อประสาน:	มาตรฐาน	ยูเอสบี:	มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า - I/O:	มาตรฐาน	การอ้างอิงข้าม:	มาตรฐาน
การใช้งาน:	วิ-เช	ขนาดแกน:	ถามฉัน
ประเภทสินค้า:	ตัวควบคุมและไดรเวอร์มอเตอร์ / โมชั่น / การจุดระเบิด	ความถี่:	168MHz
สถานะวงจรชีวิต:	ใช้งานอยู่ (อัพเดตล่าสุด: 7 เดือนที่แล้ว)	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
จัดส่งโดย:	DHL\UPS\Fedex\EMS\HK โพสต์	การรับประกัน:	1 ปี
ท่าเรือ:	เชียงใหม่

ผู้ผลิต:	วิชัย
ประเภทสินค้า:	MOSFET
RoHS:	รายละเอียด
เทคโนโลยี	ใช่
สไตล์การติดตั้ง:	SMD/SMT
กล่อง / กระเป๋า:	SOT-23-3
ทรานซิสเตอร์ขั้วขั้ว	ช่อง P
จํานวนช่อง:	ช่อง 1
Vds - ความดันการแยกของแหล่งระบายน้ํา:	20 วอล
Id - กระแสระบายน้ําต่อเนื่อง:	3.1 A
Rds ON - ความต้านทานของแหล่งระบายน้ํา:	112 mOhms
Vgs - ความดันของแหล่งประตู:	- 8 วอลล์ + 8 วอลล์
Vgs th - ความดันขั้นต่ําของแหล่งประตู:	1 V
Qg - การชาร์จประตู:	3.3 nC
อุณหภูมิการทํางานขั้นต่ํา:	- 55 ซี
อุณหภูมิการทํางานสูงสุด	+ 150 C
Pd - การสลายพลังงาน:	1.6W
รูปแบบช่อง:	การเสริม
ชื่อทางการค้า:	TrenchFET
ซีรี่ย์:	SI2
การบรรจุ:	รีล
การบรรจุ:	ตัดเทป
การบรรจุ:	MouseReel
ยี่ห้อ:	วีชาย เซมคอนดักเตอร์
การตั้งค่า:	เพียงคนเดียว
เวลาตก:	10 ns
ประเภทสินค้า:	MOSFET
เวลาขึ้น:	35 ns
จํานวนที่บรรจุจากโรงงาน:	3000
หมวดย่อย:	MOSFETs
ประเภทของทรานซิสเตอร์:	1 ช่อง P
ระยะเวลาการปิดแบบปกติ:	30 ns
ระยะเวลาการเปิดแบบปกติ:	11 ns
ส่วน # ชื่อเล่น:	SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3
น้ําหนักหน่วย:	0.000282 oz

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สายประจุลื่นแบบฟรีสเกล

วิชญ์ ไอซี

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ไอซีวงจรรวม

เอโอเอส ไอซี

Atmel ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

อัลเทอร่าชิพ

ซีลินซ์ ไอซี

MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์

ไมครอน ISSI ซัมซุง

ไดโอด ไตรโอด ทรานซิสเตอร์

ROHM UTC ICS

วงจรรวมไมโครชิป

เครื่องกันและ เครื่องประปา

(อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบ IC ชิป IC วงจรบูรณาการ) SI2301CDS-T1-GE3

FAQ

SI2302ADS-T1-E3 Vishay IC,

MOSFET-TC4424AVOA713 Vishay IC,

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สายประจุลื่นแบบฟรีสเกล