เน้น:
ประเภท: |
IC CHIP, ทรานซิสเตอร์สนามผล, ทรานซิสเตอร์ IGBT |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
ซีรี่ย์: |
/ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
คําอธิบาย: |
/ |
กระแสตรง: |
22+ |
ประเภทของแพคเกจ: |
รูทะลุ |
การใช้งาน: |
มาตรฐาน |
ประเภทของผู้ให้บริการ: |
อื่นๆ |
การอ้างอิงข้าม: |
ใหม่ |
มีสื่อ: |
อื่นๆ |
ยี่ห้อ: |
ทรานส์ NPN 400V 1.5A SOT-32 |
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): |
1.5A |
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด): |
400V |
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic: |
1.5V @ 500mA, 1.5A |
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด): |
1mA |
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce: |
5 @ 1A, 2V |
กำลัง - สูงสุด: |
40W |
ความถี่ - การเปลี่ยน: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-225AA, TO-126-3 |
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1): |
/ |
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2): |
/ |
ประเภท FET: |
/ |
คุณสมบัติ FET: |
มาตรฐาน |
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): |
/ |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C: |
/ |
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: |
/ |
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: |
/ |
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: |
/ |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: |
/ |
ความถี่: |
/ |
พิกัดกระแสไฟ (แอมป์): |
/ |
รูปเสียงรบกวน: |
/ |
เพาเวอร์-เอาท์พุต: |
/ |
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: |
/ |
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds): |
/ |
Vgs (สูงสุด): |
/ |
ประเภท IGBT: |
/ |
การกำหนดค่า: |
/ |
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic: |
/ |
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce: |
/ |
หน่วยงาน: |
/ |
กทช เทอร์มิสเตอร์: |
/ |
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): |
/ |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (รหัส) - สูงสุด: |
/ |
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส: |
/ |
ความต้านทาน - RDS (เปิด): |
/ |
โวลเตชั่น: |
/ |
แรงดัน-เอาท์พุต: |
/ |
แรงดันไฟฟ้า - ออฟเซ็ต (Vt): |
/ |
ปัจจุบัน - การรั่วไหลของประตูสู่ขั้วบวก (Igao): |
/ |
ปัจจุบัน - หุบเขา (Iv): |
/ |
ปัจจุบัน - สูงสุด: |
/ |
การใช้งาน: |
/ |
ประเภททรานซิสเตอร์: |
mrf150 ทรานซิสเตอร์กำลัง rf |
ท่าเรือ: |
เชียงใหม่ |
ทรานซิสเตอร์ใหม่และเดิม Mosfet N-Channel IRF2807PBF 75V 82A Irf2807
ข้อความของคุณจะต้องอยู่ระหว่าง 20-3,000 ตัวอักษร!