ผลิตภัณฑ์

บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ROHM UTC ICS > องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ IC ชิป BAT54HT1G Smd Diode Schottky

ประเภท

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

(1485)

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(161)

เครื่องกันและ เครื่องประปา

(3013)

ติดต่อ

ติดต่อ: Miss. Amy

โทรศัพท์: 86-130-4904-4451

แฟ็กซ์:

ติดต่อตอนนี้

โทรหาเรา

องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ IC ชิป BAT54HT1G Smd Diode Schottky

Name: องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ IC ชิป BAT54HT1G Smd Diode Schottky
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: BAT54HT1G
Price: 0.01 USD
Availability: InStock

รายละเอียดสินค้า

สถานที่กำเนิด: อัฟกานิสถาน

ชื่อแบรนด์: original

หมายเลขรุ่น: BAT54HT1G

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ราคา: $0.01 - $0.08/pieces

รายละเอียดการบรรจุ: บรรจุภัณฑ์ป้องกันไฟฟ้าสถิตย์

สามารถในการผลิต: 10,000 ชิ้น / ชิ้นต่อสัปดาห์

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า

เน้น:

อุณหภูมิการทํางาน:	/	ประเภทการติดตั้ง:	/
คําอธิบาย:	/, /	ประเภท:	ไดโอดสัญญาณ
ประเภทของแพคเกจ:	การติดตั้งพื้นผิว	การใช้งาน:	นา
ประเภทของผู้ให้บริการ:	อื่นๆ	มีสื่อ:	อื่นๆ
สูงสุด แรงดันไปข้างหน้า:	30V	สูงสุด แรงดันย้อนกลับ:	1.25V
Max. สูงสุด Forward Current ส่งต่อปัจจุบัน:	200mA	สูงสุด กระแสย้อนกลับ:	150mA
ประเภทไดโอด:	/	เทคโนโลย:	/
แรงดัน - พีคย้อนกลับ (สูงสุด):	/	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	/
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	/	กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	/
กล่อง / กระเป๋า:	/	การกำหนดค่าไดโอด:	/
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	/	กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	/
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	/
ความจุ @ Vr, F:	/	ปัจจุบัน - สูงสุด:	/
ความต้านทาน @ ถ้า, F:	/	การกระจายพลังงาน (สูงสุด):	/
อัตราส่วนความจุ:	/	สภาพอัตราส่วนความจุ:	/
การกำหนดค่า:	/	แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz):	/
ความอดทน:	/	อิมพีแดนซ์ (สูงสุด) (Zzt):	/
ท่าเรือ:	เชียงใหม่

อุณหภูมิการทํางาน:	/
ประเภทการติดตั้ง:	/
คําอธิบาย:	/, /
ประเภท:	ไดโอดสัญญาณ
ประเภทของแพคเกจ:	การติดตั้งพื้นผิว
การใช้งาน:	นา
ประเภทของผู้ให้บริการ:	อื่นๆ
มีสื่อ:	อื่นๆ
สูงสุด แรงดันไปข้างหน้า:	30V
สูงสุด แรงดันย้อนกลับ:	1.25V
Max. สูงสุด Forward Current ส่งต่อปัจจุบัน:	200mA
สูงสุด กระแสย้อนกลับ:	150mA
ประเภทไดโอด:	/
เทคโนโลย:	/
แรงดัน - พีคย้อนกลับ (สูงสุด):	/
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	/
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	/
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	/
กล่อง / กระเป๋า:	/
การกำหนดค่าไดโอด:	/
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	/
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	/
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	/
ความจุ @ Vr, F:	/
ปัจจุบัน - สูงสุด:	/
ความต้านทาน @ ถ้า, F:	/
การกระจายพลังงาน (สูงสุด):	/
อัตราส่วนความจุ:	/
สภาพอัตราส่วนความจุ:	/
การกำหนดค่า:	/
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz):	/
ความอดทน:	/
อิมพีแดนซ์ (สูงสุด) (Zzt):	/
ท่าเรือ:	เชียงใหม่

องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ IC ชิป BAT54HT1G Smd Diode Schottky

เชียงราย Qingfengyuan เทคโนโลยี จํากัด

ยินดีต้อนรับสู่บริษัทของเรา! เราคือแหล่งที่หลากหลายสําหรับองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ (BOM) ความเชี่ยวชาญของเราอยู่ที่การจัดหาองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์หลากหลายเพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลายของคุณเรานําเสนอ:- เซมคอนดักเตอร์: ไมโครคอนโทรลเลอร์, ทรานซิสเตอร์, ไดโอเดส, วงจรบูรณาการ (ICs) - ส่วนประกอบปาสิฟ: แทน, คอนเดเซนเตอร์, อินดูเตอร์, เครื่องเชื่อม - ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์: สวิทช์รีเล่, เครื่องประกอบเซนเซอร์ - พลังงานประกอบไฟฟ้า: ระบบควบคุมความตึงเครียด, เครื่องแปลงพลังงาน, การบริหารแบตเตอรี่ - ออปโตอีเลคทรอนิกส์: LED, เลเซอร์, โฟโตไดโอเดส, เซ็นเซอร์ออปติก - RF และส่วนประกอบไร้สาย: โมดูล RF,แอนเทนเนส สื่อสารไร้สาย - เซ็นเซอร์: เซ็นเซอร์อุณหภูมิ เซ็นเซอร์การเคลื่อนไหว เซ็นเซอร์สิ่งแวดล้อม

ประเภท: วงจรบูรณาการ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

DC22+

MOQ:1pc

แพ็คเกจ: มาตรฐาน

ระดับชิปที่มีฟังก์ชันที่กว้างขวางและครอบคลุมหลายพื้นที่การใช้งานที่แตกต่างกัน เช่น การสื่อสาร การประมวลภาพ การควบคุมเซ็นเซอร์ การประมวลเสียง การจัดการพลังงาน และอื่น ๆ อีกมากมาย

ชิปแบบที่เรามี
เครื่องวงจรบูรณาการ อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบ	IC ของเครื่องเปรียบเทียบ	Encoder-Decoder เครื่องรหัส	IC ที่สัมผัส
เครื่องอัดส่องความแรงกดดัน	เครื่องขยายเสียง	กําหนดการรีเซ็ตตัวตรวจจับ IC	IC เครื่องขยายพลังงาน
IC การประมวลผลอินฟราเรด	ชิปอินเตอร์เฟส	ชิปบลูทูธ	บูสต์และบัคชิป
ชิปฐานเวลา	ชิปสื่อสารนาฬิกา	IC เครื่องรับสัญญาณ	IC RF แบบไร้สาย
เครื่องต่อรองชิป	ชิปเก็บข้อมูล 2	ชิปอีเทอร์เน็ต	วงจรบูรณาการ องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์

Tags:

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สารกึ่งตัวนำ Freescale

วิชญ์ ไอซี

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ไอซีวงจรรวม

เอโอเอส ไอซี

Atmel ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

อัลเทอร่าชิพ

ซีลินซ์ ไอซี

ไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

ไมครอน ISSI ซัมซุง

ไดโอด ไตรโอด ทรานซิสเตอร์

ROHM UTC ICS

วงจรรวมไมโครชิป

เครื่องกันและ เครื่องประปา

องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ IC ชิป BAT54HT1G Smd Diode Schottky

เชียงราย Qingfengyuan เทคโนโลยี จํากัด

ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ROHM UTC ICS,

ROHM UTC ICS ทรานซิสเตอร์สองขั้ว,

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สารกึ่งตัวนำ Freescale