ผลิตภัณฑ์

บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ไมครอน ISSI ซัมซุง > ขายร้อน วงจรบูรณาการ 85p220ag3 ในชิป 3SN74HC164N ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

ประเภท

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

(1488)

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(161)

เครื่องกันและ เครื่องประปา

(3013)

ติดต่อ

ติดต่อ: Miss. Abby

โทรศัพท์: 86-130-4904-4451

แฟ็กซ์:

ติดต่อตอนนี้

โทรหาเรา

ขายร้อน วงจรบูรณาการ 85p220ag3 ในชิป 3SN74HC164N ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

รายละเอียดสินค้า

สถานที่กำเนิด: ซิลิคอน

ชื่อแบรนด์: SILICON

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

ราคา: 0.88-0.88/pieces 1-99 pieces

รายละเอียดการบรรจุ: The goods will be packed in carton which wrapped all by adhesive tape. สินค้าจะถูกบรรจุในก

สามารถในการผลิต: 10,000 ชิ้น / ชิ้นต่อวัน

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า

เน้น:

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:

3SN74HC164N

ประเภท:

วงจรรวม

คําอธิบาย:

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

แรงดัน - พังทลาย:

1.8V~3.6V

ความถี่ - การสลับ:

168MHz

กำลังไฟ (วัตต์):

500mw

อุณหภูมิการทํางาน:

-40℃~85℃

ประเภทการติดตั้ง:

การติดตั้งบนพื้นผิว, การติดตั้งบนพื้นผิว

แรงดัน - การจ่ายไฟ (นาที):

1.8 โวลต์

แรงดัน - แหล่งจ่าย (สูงสุด):

3.6 โวลต์

แรงดัน-เอาท์พุต:

114 อินพุต

ปัจจุบัน - เอาต์พุต / ช่อง:

114 อินพุต

ความถี่:

168เมกะเฮิร์ตซ์, 168เมกะเฮิร์ตซ์

การใช้งาน:

อุตสาหกรรม เครื่องใช้ไฟฟ้า

ประเภท FET:

มาตรฐาน

กระแส - เอาท์พุต (สูงสุด):

3.6V

ปัจจุบัน - อุปทาน:

2V ~ 3.6V

โลเตจ - การให้บริการ:

2V ~ 3.6V

ความถี่ - สูงสุด:

168 เมกะเฮิรตซ์

กำลัง - สูงสุด:

168 เมกะเฮิรตซ์

ความอดทน:

1024 กิโลไบต์

ปฏิบัติการ:

อุตสาหกรรม เครื่องใช้ไฟฟ้า

แหล่งจ่ายแรงดัน - ภายใน:

1.8V

ความถี่ - จุดตัดหรือกึ่งกลาง:

168 เมกะเฮิรตซ์

กระแสไฟรั่ว (IS(ปิด)) (สูงสุด):

มาตรฐาน

พลังที่แยกได้:

มาตรฐาน

แรงดันไฟฟ้า - การแยก:

มาตรฐาน

กระแส - เอาต์พุต สูง, ต่ำ:

มาตรฐาน

ปัจจุบัน - เอาต์พุตสูงสุด:

มาตรฐาน

แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (ประเภท):

มาตรฐาน

ปัจจุบัน - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด):

มาตรฐาน

ประเภทอินพุต:

114 อินพุต

ประเภทผลิต:

114 อินพุต

อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (ต่ำสุด):

114 อินพุต

อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (สูงสุด):

114 อินพุต

ความดัน - การออก (สูงสุด):

มาตรฐาน

แรงดันไฟฟ้า - ปิดสถานะ:

มาตรฐาน

dV/dt แบบคงที่ (ต่ำสุด):

มาตรฐาน

ปัจจุบัน - ทริกเกอร์ LED (ถ้า) (สูงสุด):

มาตรฐาน

ปัจจุบัน - อยู่ในสถานะ (It (RMS)) (สูงสุด):

มาตรฐาน

ความต้านทาน:

มาตรฐาน

อิมพีแดนซ์ - ไม่สมดุล/สมดุล:

มาตรฐาน

ความถี่ LO:

มาตรฐาน

ความถี่ RF:

มาตรฐาน

ช่วงอินพุต:

มาตรฐาน

พลังการออก:

มาตรฐาน

คลื่นความถี่ (ต่ำ / สูง):

มาตรฐาน

รายละเอียด:

มาตรฐาน

ขนาด/มิติ:

มาตรฐาน

การมอดูเลตหรือโปรโตคอล:

มาตรฐาน

อินเตอร์เฟซ:

มาตรฐาน

เพาเวอร์-เอาท์พุต:

มาตรฐาน

ขนาดหน่วยความจำ:

1MB(1Mx8)

มาตรการ:

มาตรฐาน

การปรับ:

มาตรฐาน

อินเทอร์เฟซแบบอนุกรม:

มาตรฐาน

จีพีไอโอ:

มาตรฐาน

IC ที่ใช้งาน / ชิ้นส่วน:

ARM R คอร์เท็กซ์ R -M4

มาตรฐาน:

32

สไตล์:

มาตรฐาน

ประเภทหน่วยความจำ:

มาตรฐาน

หน่วยความจำที่เขียนได้:

มาตรฐาน

ความต้านทาน (โอห์ม):

มาตรฐาน

การอ้างอิงข้าม:

มาตรฐาน

จำนวนตัวจับเวลา/ตัวนับ:

14ตัวจับเวลา/ตัวนับ

ขนาดแกน:

32 บิต

ซีรี่ย์:

3SN74HC164N

โปรเซสเซอร์หลัก:

ARMR CortexR-M4

สถานะวงจรชีวิต:

ใช้งานอยู่ (อัพเดตล่าสุด: 7 เดือนที่แล้ว)

การเชื่อมต่อ:

CANbus, DCMI, EBI/EMI, อีเธอร์เน็ต, I2C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART

จัดส่งโดย:

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK โพสต์

การรับประกัน:

1 ปี

ท่าเรือ:

เชียงใหม่

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:

3SN74HC164N

ประเภท:

วงจรรวม

คําอธิบาย:

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

แรงดัน - พังทลาย:

1.8V~3.6V

ความถี่ - การสลับ:

168MHz

กำลังไฟ (วัตต์):

500mw

อุณหภูมิการทํางาน:

-40℃~85℃

ประเภทการติดตั้ง:

การติดตั้งบนพื้นผิว, การติดตั้งบนพื้นผิว

แรงดัน - การจ่ายไฟ (นาที):

1.8 โวลต์

แรงดัน - แหล่งจ่าย (สูงสุด):

3.6 โวลต์

แรงดัน-เอาท์พุต:

114 อินพุต

ปัจจุบัน - เอาต์พุต / ช่อง:

114 อินพุต

ความถี่:

168เมกะเฮิร์ตซ์, 168เมกะเฮิร์ตซ์

การใช้งาน:

อุตสาหกรรม เครื่องใช้ไฟฟ้า

ประเภท FET:

มาตรฐาน

กระแส - เอาท์พุต (สูงสุด):

3.6V

ปัจจุบัน - อุปทาน:

2V ~ 3.6V

โลเตจ - การให้บริการ:

2V ~ 3.6V

ความถี่ - สูงสุด:

168 เมกะเฮิรตซ์

กำลัง - สูงสุด:

168 เมกะเฮิรตซ์

ความอดทน:

1024 กิโลไบต์

ปฏิบัติการ:

อุตสาหกรรม เครื่องใช้ไฟฟ้า

แหล่งจ่ายแรงดัน - ภายใน:

1.8V

ความถี่ - จุดตัดหรือกึ่งกลาง:

168 เมกะเฮิรตซ์

กระแสไฟรั่ว (IS(ปิด)) (สูงสุด):

มาตรฐาน

พลังที่แยกได้:

มาตรฐาน

แรงดันไฟฟ้า - การแยก:

มาตรฐาน

กระแส - เอาต์พุต สูง, ต่ำ:

มาตรฐาน

ปัจจุบัน - เอาต์พุตสูงสุด:

มาตรฐาน

แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (ประเภท):

มาตรฐาน

ปัจจุบัน - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด):

มาตรฐาน

ประเภทอินพุต:

114 อินพุต

ประเภทผลิต:

114 อินพุต

อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (ต่ำสุด):

114 อินพุต

อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (สูงสุด):

114 อินพุต

ความดัน - การออก (สูงสุด):

มาตรฐาน

แรงดันไฟฟ้า - ปิดสถานะ:

มาตรฐาน

dV/dt แบบคงที่ (ต่ำสุด):

มาตรฐาน

ปัจจุบัน - ทริกเกอร์ LED (ถ้า) (สูงสุด):

มาตรฐาน

ปัจจุบัน - อยู่ในสถานะ (It (RMS)) (สูงสุด):

มาตรฐาน

ความต้านทาน:

มาตรฐาน

อิมพีแดนซ์ - ไม่สมดุล/สมดุล:

มาตรฐาน

ความถี่ LO:

มาตรฐาน

ความถี่ RF:

มาตรฐาน

ช่วงอินพุต:

มาตรฐาน

พลังการออก:

มาตรฐาน

คลื่นความถี่ (ต่ำ / สูง):

มาตรฐาน

รายละเอียด:

มาตรฐาน

ขนาด/มิติ:

มาตรฐาน

การมอดูเลตหรือโปรโตคอล:

มาตรฐาน

อินเตอร์เฟซ:

มาตรฐาน

เพาเวอร์-เอาท์พุต:

มาตรฐาน

ขนาดหน่วยความจำ:

1MB(1Mx8)

มาตรการ:

มาตรฐาน

การปรับ:

มาตรฐาน

อินเทอร์เฟซแบบอนุกรม:

มาตรฐาน

จีพีไอโอ:

มาตรฐาน

IC ที่ใช้งาน / ชิ้นส่วน:

ARM R คอร์เท็กซ์ R -M4

มาตรฐาน:

32

สไตล์:

มาตรฐาน

ประเภทหน่วยความจำ:

มาตรฐาน

หน่วยความจำที่เขียนได้:

มาตรฐาน

ความต้านทาน (โอห์ม):

มาตรฐาน

การอ้างอิงข้าม:

มาตรฐาน

จำนวนตัวจับเวลา/ตัวนับ:

14ตัวจับเวลา/ตัวนับ

ขนาดแกน:

32 บิต

ซีรี่ย์:

3SN74HC164N

โปรเซสเซอร์หลัก:

ARMR CortexR-M4

สถานะวงจรชีวิต:

ใช้งานอยู่ (อัพเดตล่าสุด: 7 เดือนที่แล้ว)

การเชื่อมต่อ:

CANbus, DCMI, EBI/EMI, อีเธอร์เน็ต, I2C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART

จัดส่งโดย:

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK โพสต์

การรับประกัน:

1 ปี

ท่าเรือ:

เชียงใหม่

ขายร้อน วงจรบูรณาการ 85p220ag3 ในชิป 3SN74HC164N ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

ปริมาตรสินค้า

85p220ag3
ประเภทของทรัพยากร LINKData sheetsC8051F2xxโมดูลการฝึกอบรมสินค้า
การออกแบบ / รายละเอียด ใบข้อมูล อัพเดท 07/Dec/2022PCN การประกอบ / ที่กําเนิด สถานที่เปลี่ยน 18/Jan/2022PCN การบรรจุ ลงในบรรจุ 14/Dec/2021
แผ่นข้อมูล HTMLC8051F2xxEDA

Mfr
ห้องปฏิบัติการซิลิคอน
ซีรี่ย์
85p220ag3
แพ็คเกจ
ตะกร้า
สถานะสินค้า
ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
เครื่องประมวลผลหลัก
8051
ขนาดแกน
8 บิต
ความเร็ว
25MHz
การเชื่อมต่อ
SPI, UART/USART
อุปกรณ์ด้านนอก
การตรวจสอบ/รีเซ็ต, POR, WDT
จํานวน I/O
32
ขนาดความจําโปรแกรม
8KB (8K x 8)
ประเภทความจําโปรแกรม
FLASH
ขนาด EEPROM
-
ขนาด RAM
256 x 8
ความดัน - การให้บริการ (Vcc/Vdd)
2.7V ~ 3.6V
เครื่องแปลงข้อมูล
-
ประเภทออสซิลเลอเตอร์
ภายใน
อุณหภูมิการทํางาน
-40 °C ~ 85 °C (TA)
ประเภทการติดตั้ง
การติดตั้งพื้นผิว
กล่อง / กระเป๋า
48-TQFP
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย
48-TQFP (7x7)
เลขสินค้าพื้นฐาน
C8051F230
ระดับความรู้สึกต่อความชื้น (MSL)
3 (168 ชั่วโมง)
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0001

ประโยชน์ ของ เรา

โปรไฟล์บริษัท

แนะนําสินค้า

เทคนิคการผลิต

FAQ

FAQ
Q1: เกี่ยวกับการอ้างอิงของ IC BOM?
A1: บริษัทมีช่องทางการจัดซื้อของผู้ผลิตวงจรบูรณาการเดิมในประเทศและต่างประเทศ และทีมวิเคราะห์ทางการแก้ไขสินค้ามืออาชีพเพื่อเลือกองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ราคาถูกสําหรับลูกค้า.Q2: โปรโมชั่นสําหรับ PCB และ PCBA
A2: ทีมงานมืออาชีพของบริษัทจะวิเคราะห์ช่วงการใช้งานของ PCB และ PCBA การแก้ไขที่ให้บริการโดยลูกค้าและความต้องการปารามิเตอร์ขององค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์แต่ละและในที่สุดก็ให้ลูกค้า มีคุณภาพสูงและราคาถูก.
Q3:เกี่ยวกับการออกแบบชิปเพื่อผลิตภัณฑ์เสร็จ?
A3: เรามีชุดที่สมบูรณ์แบบของการออกแบบเวฟเฟอร์, การผลิตเวฟเฟอร์, การทดสอบเวฟเฟอร์, การบรรจุและการบูรณาการ IC, และบริการตรวจสอบสินค้า IC.
Q4: บริษัทของเรามีข้อกําหนดปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ํา (MOQ)?
A4: ไม่, เราไม่มีความต้องการ MOQ, เราสามารถสนับสนุนโครงการของคุณเริ่มต้นจากต้นแบบการผลิตจํานวนมาก.
Q5: วิธีการที่จะทําให้แน่ใจว่าข้อมูลของลูกค้าไม่รั่ว?
A5: เราพร้อมที่จะลงนาม NDA โดยกฎหมายท้องถิ่นด้านลูกค้า และสัญญาที่จะรักษาข้อมูลลูกค้าในระดับความลับสูง

Tags:

IS61C3216AL ไมครอน ISSI Samsung,

ชิปรวม Ic VFBGA-63,

ไมครอน ISSI Samsung DRAM 4GBIT

ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน

IS42S16800F แพ็คเกจ ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

IS41LV16100C ไมครอน ISSI Samsung ISSI Ic วงจรรวม

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

K4B4G1646E-BYMA แพ็คเกจ DDR SDRAM ของ Samsung FBGA-96 ROHS

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

IS62WV51216BLL-55TLI ชิปหน่วยความจำ Ic BOM MouseReel บรรจุภัณฑ์

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

MT40A1G16KD-062E ไมครอน ISSI Samsung Ic ชิปรวม VFBGA-63

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

ORIGINAL IC Mosfet ทรานซิสเตอร์ 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 คู่เสียง 2sa 1943 sc5200 5200 ในคลัง

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

ออริจินอล 600V 120A 298W 60n60 DIP IGBT ทรานซิสเตอร์ FGH60N60SFD FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD FGH60N60

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

สายวงจรบูรณาการอิเล็กทรอนิกส์แบบแท้ใหม่ขายร้อน MAX521ACAG

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

สายวงจรบูรณาการอิเล็กทรอนิกส์แบบขายร้อนใหม่

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

เครื่องวงจรบูรณาการ LT1963AEQ-3.3#PBF

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	3SN74HC164N	ประเภท:	วงจรรวม
คําอธิบาย:	ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์	แรงดัน - พังทลาย:	1.8V~3.6V
ความถี่ - การสลับ:	168MHz	กำลังไฟ (วัตต์):	500mw
อุณหภูมิการทํางาน:	-40℃~85℃	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งบนพื้นผิว, การติดตั้งบนพื้นผิว
แรงดัน - การจ่ายไฟ (นาที):	1.8 โวลต์	แรงดัน - แหล่งจ่าย (สูงสุด):	3.6 โวลต์
แรงดัน-เอาท์พุต:	114 อินพุต	ปัจจุบัน - เอาต์พุต / ช่อง:	114 อินพุต
ความถี่:	168เมกะเฮิร์ตซ์, 168เมกะเฮิร์ตซ์	การใช้งาน:	อุตสาหกรรม เครื่องใช้ไฟฟ้า
ประเภท FET:	มาตรฐาน	กระแส - เอาท์พุต (สูงสุด):	3.6V
ปัจจุบัน - อุปทาน:	2V ~ 3.6V	โลเตจ - การให้บริการ:	2V ~ 3.6V
ความถี่ - สูงสุด:	168 เมกะเฮิรตซ์	กำลัง - สูงสุด:	168 เมกะเฮิรตซ์
ความอดทน:	1024 กิโลไบต์	ปฏิบัติการ:	อุตสาหกรรม เครื่องใช้ไฟฟ้า
แหล่งจ่ายแรงดัน - ภายใน:	1.8V	ความถี่ - จุดตัดหรือกึ่งกลาง:	168 เมกะเฮิรตซ์
กระแสไฟรั่ว (IS(ปิด)) (สูงสุด):	มาตรฐาน	พลังที่แยกได้:	มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า - การแยก:	มาตรฐาน	กระแส - เอาต์พุต สูง, ต่ำ:	มาตรฐาน
ปัจจุบัน - เอาต์พุตสูงสุด:	มาตรฐาน	แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (ประเภท):	มาตรฐาน
ปัจจุบัน - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด):	มาตรฐาน	ประเภทอินพุต:	114 อินพุต
ประเภทผลิต:	114 อินพุต	อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (ต่ำสุด):	114 อินพุต
อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (สูงสุด):	114 อินพุต	ความดัน - การออก (สูงสุด):	มาตรฐาน
แรงดันไฟฟ้า - ปิดสถานะ:	มาตรฐาน	dV/dt แบบคงที่ (ต่ำสุด):	มาตรฐาน
ปัจจุบัน - ทริกเกอร์ LED (ถ้า) (สูงสุด):	มาตรฐาน	ปัจจุบัน - อยู่ในสถานะ (It (RMS)) (สูงสุด):	มาตรฐาน
ความต้านทาน:	มาตรฐาน	อิมพีแดนซ์ - ไม่สมดุล/สมดุล:	มาตรฐาน
ความถี่ LO:	มาตรฐาน	ความถี่ RF:	มาตรฐาน
ช่วงอินพุต:	มาตรฐาน	พลังการออก:	มาตรฐาน
คลื่นความถี่ (ต่ำ / สูง):	มาตรฐาน	รายละเอียด:	มาตรฐาน
ขนาด/มิติ:	มาตรฐาน	การมอดูเลตหรือโปรโตคอล:	มาตรฐาน
อินเตอร์เฟซ:	มาตรฐาน	เพาเวอร์-เอาท์พุต:	มาตรฐาน
ขนาดหน่วยความจำ:	1MB(1Mx8)	มาตรการ:	มาตรฐาน
การปรับ:	มาตรฐาน	อินเทอร์เฟซแบบอนุกรม:	มาตรฐาน
จีพีไอโอ:	มาตรฐาน	IC ที่ใช้งาน / ชิ้นส่วน:	ARM R คอร์เท็กซ์ R -M4
มาตรฐาน:	32	สไตล์:	มาตรฐาน
ประเภทหน่วยความจำ:	มาตรฐาน	หน่วยความจำที่เขียนได้:	มาตรฐาน
ความต้านทาน (โอห์ม):	มาตรฐาน	การอ้างอิงข้าม:	มาตรฐาน
จำนวนตัวจับเวลา/ตัวนับ:	14ตัวจับเวลา/ตัวนับ	ขนาดแกน:	32 บิต
ซีรี่ย์:	3SN74HC164N	โปรเซสเซอร์หลัก:	ARMR CortexR-M4
สถานะวงจรชีวิต:	ใช้งานอยู่ (อัพเดตล่าสุด: 7 เดือนที่แล้ว)	การเชื่อมต่อ:	CANbus, DCMI, EBI/EMI, อีเธอร์เน็ต, I2C, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART
จัดส่งโดย:	DHL\UPS\Fedex\EMS\HK โพสต์	การรับประกัน:	1 ปี
ท่าเรือ:	เชียงใหม่

Mfr	ห้องปฏิบัติการซิลิคอน
ซีรี่ย์	85p220ag3
แพ็คเกจ	ตะกร้า
สถานะสินค้า	ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
เครื่องประมวลผลหลัก	8051
ขนาดแกน	8 บิต
ความเร็ว	25MHz
การเชื่อมต่อ	SPI, UART/USART
อุปกรณ์ด้านนอก	การตรวจสอบ/รีเซ็ต, POR, WDT
จํานวน I/O	32
ขนาดความจําโปรแกรม	8KB (8K x 8)
ประเภทความจําโปรแกรม	FLASH
ขนาด EEPROM	-
ขนาด RAM	256 x 8
ความดัน - การให้บริการ (Vcc/Vdd)	2.7V ~ 3.6V
เครื่องแปลงข้อมูล	-
ประเภทออสซิลเลอเตอร์	ภายใน
อุณหภูมิการทํางาน	-40 °C ~ 85 °C (TA)
ประเภทการติดตั้ง	การติดตั้งพื้นผิว
กล่อง / กระเป๋า	48-TQFP
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย	48-TQFP (7x7)
เลขสินค้าพื้นฐาน	C8051F230
ระดับความรู้สึกต่อความชื้น (MSL)	3 (168 ชั่วโมง)
ECCN	EAR99
HTSUS	8542.31.0001

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สารกึ่งตัวนำ Freescale

วิชญ์ ไอซี

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ไอซีวงจรรวม

เอโอเอส ไอซี

Atmel ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

อัลเทอร่าชิพ

ซีลินซ์ ไอซี

ไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

ไมครอน ISSI ซัมซุง

ไดโอด ไตรโอด ทรานซิสเตอร์

ROHM UTC ICS

วงจรรวมไมโครชิป

เครื่องกันและ เครื่องประปา

ขายร้อน วงจรบูรณาการ 85p220ag3 ในชิป 3SN74HC164N ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

FAQ

IS61C3216AL ไมครอน ISSI Samsung,

ชิปรวม Ic VFBGA-63,

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สารกึ่งตัวนำ Freescale