ผลิตภัณฑ์

บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ไมครอน ISSI ซัมซุง > อะไหล่อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ ES3J MURS360T3G 3A/600V SMD Fast Recovery Diode

ประเภท

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

(1485)

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(161)

เครื่องกันและ เครื่องประปา

(3013)

ติดต่อ

ติดต่อ: Miss. Abby

โทรศัพท์: 86-130-4904-4451

แฟ็กซ์:

ติดต่อตอนนี้

โทรหาเรา

อะไหล่อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ ES3J MURS360T3G 3A/600V SMD Fast Recovery Diode

Name: อะไหล่อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ ES3J MURS360T3G 3A/600V SMD Fast Recovery Diode
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: ES3J MURS360T3G 3A/600
Price: 0.35 USD
Availability: InStock

รายละเอียดสินค้า

สถานที่กำเนิด: กวางตุ้ง, จีน

ชื่อแบรนด์: All

หมายเลขรุ่น: ES3J MURS360T3G 3A/600

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ราคา: $0.35 - $1.68/pieces

รายละเอียดการบรรจุ: รีลหรือท่อ

สามารถในการผลิต: 60000 ชิ้น / ชิ้นต่อวัน

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า

เน้น:

อุณหภูมิการทํางาน:	℃ มาตรฐาน	ซีรี่ย์:	วงจรรวมไดโอดไตรโอด
ประเภทการติดตั้ง:	มาตรฐาน, มาตรฐาน	คําอธิบาย:	ไดโอดฟื้นตัวอย่างรวดเร็ว
ประเภท:	อื่นๆ	กระแสตรง:	ไม่มีข้อมูล
ประเภทของแพคเกจ:	SMD	การใช้งาน:	ไดโอด
ประเภทของผู้ให้บริการ:	ODM, เอเจนซี่, ผู้ค้าปลีก, อื่นๆ	มีสื่อ:	อื่นๆ
สูงสุด แรงดันไปข้างหน้า:	ไม่มีข้อมูล	สูงสุด แรงดันย้อนกลับ:	วี
Max. สูงสุด Forward Current ส่งต่อปัจจุบัน:	ไม่มีข้อมูล	สูงสุด กระแสย้อนกลับ:	ไม่มีข้อมูล
ประเภทไดโอด:	ไดโอดฟื้นตัวอย่างรวดเร็ว	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
แรงดัน - พีคย้อนกลับ (สูงสุด):	ไดโอดฟื้นตัวอย่างรวดเร็ว	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	ก
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	วี.เอฟ	กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	ก
กล่อง / กระเป๋า:	SMD	การกำหนดค่าไดโอด:	มาตรฐาน
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	วีอาร์	กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	IO
ความเร็ว:	มาตรฐาน	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	ตร
ความจุ @ Vr, F:	มาตรฐาน	ปัจจุบัน - สูงสุด:	ก
ความต้านทาน @ ถ้า, F:	โอห์ม	การกระจายพลังงาน (สูงสุด):	ใน
อัตราส่วนความจุ:	มาตรฐาน	สภาพอัตราส่วนความจุ:	มาตรฐาน
ถาม @ Vr, F:	มาตรฐาน	การกำหนดค่า:	มาตรฐาน
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz):	Vz	ความอดทน:	มาตรฐาน
กำลัง - สูงสุด:	ใน	อิมพีแดนซ์ (สูงสุด) (Zzt):	Zzt
เวลานำ:	1-3 วันทำการ	การขนส่งทางเรือ:	DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\POST
MOQ:	100PCS	การจ่ายเงิน:	Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
การรับประกัน:	30-90 วัน	สภาพ:	แบรนด์ใหม่และเป็นต้นฉบับ
ตัวอย่าง:	ที่ให้มา	ท่าเรือ:	เซินเจิ้น/เซี่ยงไฮ้/ฮ่องกง

อุณหภูมิการทํางาน:	℃ มาตรฐาน
ซีรี่ย์:	วงจรรวมไดโอดไตรโอด
ประเภทการติดตั้ง:	มาตรฐาน, มาตรฐาน
คําอธิบาย:	ไดโอดฟื้นตัวอย่างรวดเร็ว
ประเภท:	อื่นๆ
กระแสตรง:	ไม่มีข้อมูล
ประเภทของแพคเกจ:	SMD
การใช้งาน:	ไดโอด
ประเภทของผู้ให้บริการ:	ODM, เอเจนซี่, ผู้ค้าปลีก, อื่นๆ
มีสื่อ:	อื่นๆ
สูงสุด แรงดันไปข้างหน้า:	ไม่มีข้อมูล
สูงสุด แรงดันย้อนกลับ:	วี
Max. สูงสุด Forward Current ส่งต่อปัจจุบัน:	ไม่มีข้อมูล
สูงสุด กระแสย้อนกลับ:	ไม่มีข้อมูล
ประเภทไดโอด:	ไดโอดฟื้นตัวอย่างรวดเร็ว
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
แรงดัน - พีคย้อนกลับ (สูงสุด):	ไดโอดฟื้นตัวอย่างรวดเร็ว
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	ก
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	วี.เอฟ
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	ก
กล่อง / กระเป๋า:	SMD
การกำหนดค่าไดโอด:	มาตรฐาน
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	วีอาร์
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	IO
ความเร็ว:	มาตรฐาน
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	ตร
ความจุ @ Vr, F:	มาตรฐาน
ปัจจุบัน - สูงสุด:	ก
ความต้านทาน @ ถ้า, F:	โอห์ม
การกระจายพลังงาน (สูงสุด):	ใน
อัตราส่วนความจุ:	มาตรฐาน
สภาพอัตราส่วนความจุ:	มาตรฐาน
ถาม @ Vr, F:	มาตรฐาน
การกำหนดค่า:	มาตรฐาน
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz):	Vz
ความอดทน:	มาตรฐาน
กำลัง - สูงสุด:	ใน
อิมพีแดนซ์ (สูงสุด) (Zzt):	Zzt
เวลานำ:	1-3 วันทำการ
การขนส่งทางเรือ:	DHL\UPS\Fedex\TNT\EMS\POST
MOQ:	100PCS
การจ่ายเงิน:	Paypal \ TT \ Western Union \ Trade Assurance
การรับประกัน:	30-90 วัน
สภาพ:	แบรนด์ใหม่และเป็นต้นฉบับ
ตัวอย่าง:	ที่ให้มา
ท่าเรือ:	เซินเจิ้น/เซี่ยงไฮ้/ฮ่องกง

อะไหล่อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ ES3J MURS360T3G 3A/600V SMD Fast Recovery Diode

เชียงราย Qingfengyuan เทคโนโลยี จํากัด

ยินดีต้อนรับสู่บริษัทของเรา! เราคือแหล่งที่หลากหลายสําหรับองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ (BOM) ความเชี่ยวชาญของเราอยู่ที่การจัดหาองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์หลากหลายเพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลายของคุณเรานําเสนอ:- เซมคอนดักเตอร์: ไมโครคอนโทรลเลอร์, ทรานซิสเตอร์, ไดโอเดส, วงจรบูรณาการ (ICs) - ส่วนประกอบปาสิฟ: แทน, คอนเดเซนเตอร์, อินดูเตอร์, เครื่องเชื่อม - ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์: สวิทช์รีเล่, เครื่องประกอบเซนเซอร์ - พลังงานประกอบไฟฟ้า: ระบบควบคุมความตึงเครียด, เครื่องแปลงพลังงาน, การบริหารแบตเตอรี่ - ออปโตอีเลคทรอนิกส์: LED, เลเซอร์, โฟโตไดโอเดส, เซ็นเซอร์ออปติก - RF และส่วนประกอบไร้สาย: โมดูล RF,แอนเทนเนส สื่อสารไร้สาย - เซ็นเซอร์: เซ็นเซอร์อุณหภูมิ เซ็นเซอร์การเคลื่อนไหว เซ็นเซอร์สิ่งแวดล้อม

ประเภท: วงจรบูรณาการ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์

DC22+

MOQ:1pc

แพ็คเกจ: มาตรฐาน

ระดับชิปที่มีฟังก์ชันที่กว้างขวางและครอบคลุมหลายพื้นที่การใช้งานที่แตกต่างกัน เช่น การสื่อสาร การประมวลภาพ การควบคุมเซ็นเซอร์ การประมวลเสียง การจัดการพลังงาน และอื่น ๆ อีกมากมาย

ชิปแบบที่เรามี
เครื่องวงจรบูรณาการ อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบ	IC ของเครื่องเปรียบเทียบ	Encoder-Decoder เครื่องรหัส	IC ที่สัมผัส
เครื่องอัดส่องความแรงกดดัน	เครื่องขยายเสียง	กําหนดการรีเซ็ตตัวตรวจจับ IC	IC เครื่องขยายพลังงาน
IC การประมวลผลอินฟราเรด	ชิปอินเตอร์เฟส	ชิปบลูทูธ	บูสต์และบัคชิป
ชิปฐานเวลา	ชิปสื่อสารนาฬิกา	IC เครื่องรับสัญญาณ	IC RF แบบไร้สาย
เครื่องต่อรองชิป	ชิปเก็บข้อมูล 2	ชิปอีเทอร์เน็ต	วงจรบูรณาการ องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์

Tags:

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สารกึ่งตัวนำ Freescale

วิชญ์ ไอซี

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ไอซีวงจรรวม

เอโอเอส ไอซี

Atmel ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

อัลเทอร่าชิพ

ซีลินซ์ ไอซี

ไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

ไมครอน ISSI ซัมซุง

ไดโอด ไตรโอด ทรานซิสเตอร์

ROHM UTC ICS

วงจรรวมไมโครชิป

เครื่องกันและ เครื่องประปา

อะไหล่อิเล็กทรอนิกส์อื่นๆ ES3J MURS360T3G 3A/600V SMD Fast Recovery Diode

เชียงราย Qingfengyuan เทคโนโลยี จํากัด

IS61C3216AL ไมครอน ISSI Samsung,

ชิปรวม Ic VFBGA-63,

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สารกึ่งตัวนำ Freescale