logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
บ้าน
ผลิตภัณฑ์
ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
เซนต์ ไอซีเอส
เรเนซาส ไอซี
ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก
เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments
บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์
สายประจุลื่นแบบฟรีสเกล
วิชญ์ ไอซี
Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ไอซีวงจรรวม
เอโอเอส ไอซี
Atmel ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
อัลเทอร่าชิพ
ซีลินซ์ ไอซี
MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์
ไมครอน ISSI ซัมซุง
ไดโอด ไตรโอด ทรานซิสเตอร์
ROHM UTC ICS
วงจรรวมไมโครชิป
เครื่องกันและ เครื่องประปา
วิดีโอ
เกี่ยวกับเรา
โปรไฟล์บริษัท
ทัวร์โรงงาน
การควบคุมคุณภาพ
ติดต่อเรา
เหตุการณ์ที่เกิดขึ้น
ข่าว
กรณี
thai
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
อ้างอิง
บ้าน
ผลิตภัณฑ์
ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
เซนต์ ไอซีเอส
เรเนซาส ไอซี
ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก
เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments
บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์
สายประจุลื่นแบบฟรีสเกล
วิชญ์ ไอซี
Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
ไอซีวงจรรวม
เอโอเอส ไอซี
Atmel ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
อัลเทอร่าชิพ
ซีลินซ์ ไอซี
MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์
ไมครอน ISSI ซัมซุง
ไดโอด ไตรโอด ทรานซิสเตอร์
ROHM UTC ICS
วงจรรวมไมโครชิป
เครื่องกันและ เครื่องประปา
วิดีโอ
เกี่ยวกับเรา
โปรไฟล์บริษัท
ทัวร์โรงงาน
การควบคุมคุณภาพ
ติดต่อเรา
เหตุการณ์ที่เกิดขึ้น
ข่าว
กรณี
ติดต่อเรา
ผลิตภัณฑ์
ผลิตภัณฑ์
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ไมครอน ISSI ซัมซุง > ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU
ประเภท

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(57576)

เซนต์ ไอซีเอส

(681)

เรเนซาส ไอซี

(105)

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

(996)

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

(1486)

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

(911)

สายประจุลื่นแบบฟรีสเกล

(492)

วิชญ์ ไอซี

(204)

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(161)

ไอซีวงจรรวม

(258)

เอโอเอส ไอซี

(545)

Atmel ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(127)

อัลเทอร่าชิพ

(178)

ซีลินซ์ ไอซี

(167)

MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์

(2099)

ไมครอน ISSI ซัมซุง

(2837)

ไดโอด ไตรโอด ทรานซิสเตอร์

(2061)

ROHM UTC ICS

(2643)

วงจรรวมไมโครชิป

(1076)

เครื่องกันและ เครื่องประปา

(3067)
ติดต่อ
ติดต่อ: Miss. Amy
โทรศัพท์: 86-180-3344-1064
แฟ็กซ์:
ติดต่อตอนนี้
โทรหาเรา
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU

ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU

รายละเอียดสินค้า

สถานที่กำเนิด: กวางตุ้ง, จีน

ชื่อแบรนด์: ALL BRAND

หมายเลขรุ่น: GBU804

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 100 ชิ้น

ราคา: $0.04 - $0.15/pieces

รายละเอียดการบรรจุ: รีลหรือท่อ

สามารถในการผลิต: 10,000 ชิ้น / ชิ้นต่อวัน

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า
เน้น:
อุณหภูมิการทํางาน:
ค มาตรฐาน
ซีรีย์:
วงจรรวมไดโอดไตรโอด
ประเภทการติดตั้ง:
มาตรฐาน SMT/THT มาตรฐาน
คําอธิบาย:
วงจรเรียงกระแสบริดจ์, 400V 8A GBU วงจรเรียงกระแสบริดจ์ไดโอด
ประเภท:
วงจรเรียงกระแสไดโอด
กระแสตรง:
ไม่มี
ประเภทของแพคเกจ:
ผ่านหลุม
การใช้งาน:
จุดประสงค์ทั่วไป
ประเภทของผู้ให้บริการ:
ผู้ผลิตดั้งเดิม, ODM, ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก, อื่น ๆ
สื่อที่มี:
แผ่นข้อมูล ภาพถ่าย อื่นๆ
สูงสุด แรงดันไปข้างหน้า:
วี
สูงสุด แรงดันย้อนกลับ:
วี
Max. สูงสุด Forward Current ส่งต่อปัจจุบัน:
A
สูงสุด กระแสย้อนกลับ:
A
ประเภทไดโอด:
วงจรรวมไดโอดไตรโอด
เทคโนโลย:
มาตรฐาน
แรงดัน - พีคย้อนกลับ (สูงสุด):
วี
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):
ก
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:
มาตรฐาน
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:
มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:
GBU804
การกำหนดค่าไดโอด:
มาตรฐาน
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):
มาตรฐาน
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):
มาตรฐาน
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):
มาตรฐาน
ความจุ @ Vr, F:
มาตรฐาน
ปัจจุบัน - สูงสุด:
A
ความต้านทาน @ ถ้า, F:
มาตรฐาน
การกระจายพลังงาน (สูงสุด):
มาตรฐาน
อัตราส่วนความจุ:
มาตรฐาน
สภาพอัตราส่วนความจุ:
มาตรฐาน
การตั้งค่า:
มาตรฐาน
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz):
มาตรฐาน
ความอดทน:
มาตรฐาน
อิมพีแดนซ์ (สูงสุด) (Zzt):
มาตรฐาน
ชื่อสินค้า:
GBU804 400V 8A GBU วงจรเรียงกระแสบริดจ์ไดโอด
ท่าเรือ:
เชียงใหม่
อุณหภูมิการทํางาน:
ค มาตรฐาน
ซีรีย์:
วงจรรวมไดโอดไตรโอด
ประเภทการติดตั้ง:
มาตรฐาน SMT/THT มาตรฐาน
คําอธิบาย:
วงจรเรียงกระแสบริดจ์, 400V 8A GBU วงจรเรียงกระแสบริดจ์ไดโอด
ประเภท:
วงจรเรียงกระแสไดโอด
กระแสตรง:
ไม่มี
ประเภทของแพคเกจ:
ผ่านหลุม
การใช้งาน:
จุดประสงค์ทั่วไป
ประเภทของผู้ให้บริการ:
ผู้ผลิตดั้งเดิม, ODM, ตัวแทน, ผู้ค้าปลีก, อื่น ๆ
สื่อที่มี:
แผ่นข้อมูล ภาพถ่าย อื่นๆ
สูงสุด แรงดันไปข้างหน้า:
วี
สูงสุด แรงดันย้อนกลับ:
วี
Max. สูงสุด Forward Current ส่งต่อปัจจุบัน:
A
สูงสุด กระแสย้อนกลับ:
A
ประเภทไดโอด:
วงจรรวมไดโอดไตรโอด
เทคโนโลย:
มาตรฐาน
แรงดัน - พีคย้อนกลับ (สูงสุด):
วี
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):
ก
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:
มาตรฐาน
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:
มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:
GBU804
การกำหนดค่าไดโอด:
มาตรฐาน
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):
มาตรฐาน
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):
มาตรฐาน
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):
มาตรฐาน
ความจุ @ Vr, F:
มาตรฐาน
ปัจจุบัน - สูงสุด:
A
ความต้านทาน @ ถ้า, F:
มาตรฐาน
การกระจายพลังงาน (สูงสุด):
มาตรฐาน
อัตราส่วนความจุ:
มาตรฐาน
สภาพอัตราส่วนความจุ:
มาตรฐาน
การตั้งค่า:
มาตรฐาน
แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz):
มาตรฐาน
ความอดทน:
มาตรฐาน
อิมพีแดนซ์ (สูงสุด) (Zzt):
มาตรฐาน
ชื่อสินค้า:
GBU804 400V 8A GBU วงจรเรียงกระแสบริดจ์ไดโอด
ท่าเรือ:
เชียงใหม่
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU

บริษัท Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.

ยินดีต้อนรับสู่บริษัทของเรา! เราคือแหล่งรวมส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ (BOM) ของคุณ เรามีความเชี่ยวชาญในการจัดหาชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่หลากหลายเพื่อให้เหมาะกับความต้องการที่หลากหลายของคุณ เรามีข้อเสนอ: - สารกึ่งตัวนำ: ไมโครคอนโทรลเลอร์, ทรานซิสเตอร์, ไดโอด, วงจรรวม (IC) - ส่วนประกอบแบบพาสซีฟ: ตัวต้านทาน, ตัวเก็บประจุ, ตัวเหนี่ยวนำ, ขั้วต่อ - ส่วนประกอบทางไฟฟ้า: สวิตช์, รีเลย์, ตัวกระตุ้นเซ็นเซอร์ - แหล่งจ่ายไฟ: ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้า, ตัวแปลงพลังงาน, การจัดการแบตเตอรี่ - ออปโตอิเล็กทรอนิกส์: LED, เลเซอร์, โฟโตไดโอด, เซ็นเซอร์ออปติคัล - ส่วนประกอบ RF และไร้สาย: โมดูล RF, เสาอากาศ, การสื่อสารไร้สาย - เซ็นเซอร์: เซ็นเซอร์อุณหภูมิ, เซ็นเซอร์ตรวจจับความเคลื่อนไหว, เซ็นเซอร์สิ่งแวดล้อม
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU 0

ประเภท: วงจรรวม ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
DC:22+
MOQ:1 ชิ้น
แพ็คเกจ: มาตรฐาน
ชิปฟังก์ชันมีหลากหลายและครอบคลุมพื้นที่การใช้งานที่แตกต่างกันมากมาย เช่น การสื่อสาร การประมวลผลภาพ การควบคุมเซ็นเซอร์ การประมวลผลเสียง การจัดการพลังงาน และอื่นๆ
ประเภทชิปที่เรามี



วงจรรวม ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ไอซีเปรียบเทียบ
ตัวเข้ารหัส-ตัวถอดรหัส
ไอซีสัมผัส
ไอซีอ้างอิงแรงดันไฟฟ้า
แอมพลิฟายเออร์
ไอซีตรวจจับการรีเซ็ต
ไอซีเพาเวอร์แอมพลิฟายเออร์
ไอซีประมวลผลอินฟราเรด
ชิปอินเทอร์เฟซ
ชิปบลูทูธ
ชิปบูสต์และบั๊ก
ชิปฐานเวลา
ชิปสื่อสารนาฬิกา
ไอซีรับส่งสัญญาณ
ไอซี RF ไร้สาย
ตัวต้านทานชิป
ชิปเก็บข้อมูล 2
ชิปอีเธอร์เน็ต
วงจรรวม ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU 1
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU 2
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU 3
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU 4
ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ GBU806 GBU806G GBU808 GBU810 GBU804 GBU802 GBU803 GBU801 400V 8A GBU 5

Tags:

IS61C3216AL Micron ISSI Samsung,

ไอซีวงจรรวม VFBGA-63,

Micron ISSI Samsung DRAM 4GBIT

ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน
IS42S16800F แพ็คเกจ ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP

IS42S16800F แพ็คเกจ ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
IS41LV16100C ไมครอน ISSI Samsung ISSI Ic วงจรรวม

IS41LV16100C ไมครอน ISSI Samsung ISSI Ic วงจรรวม

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
K4B4G1646E-BYMA แพ็คเกจ DDR SDRAM ของ Samsung FBGA-96 ROHS

K4B4G1646E-BYMA แพ็คเกจ DDR SDRAM ของ Samsung FBGA-96 ROHS

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
IS62WV51216BLL-55TLI ชิปหน่วยความจำ Ic BOM MouseReel บรรจุภัณฑ์

IS62WV51216BLL-55TLI ชิปหน่วยความจำ Ic BOM MouseReel บรรจุภัณฑ์

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
MT40A1G16KD-062E ไมครอน ISSI Samsung Ic ชิปรวม VFBGA-63

MT40A1G16KD-062E ไมครอน ISSI Samsung Ic ชิปรวม VFBGA-63

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
ORIGINAL IC Mosfet ทรานซิสเตอร์ 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 คู่เสียง 2sa 1943 sc5200 5200 ในคลัง

ORIGINAL IC Mosfet ทรานซิสเตอร์ 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 คู่เสียง 2sa 1943 sc5200 5200 ในคลัง

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
ออริจินอล 600V 120A 298W 60n60 DIP IGBT ทรานซิสเตอร์ FGH60N60SFD FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD FGH60N60

ออริจินอล 600V 120A 298W 60n60 DIP IGBT ทรานซิสเตอร์ FGH60N60SFD FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD FGH60N60

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
สายวงจรบูรณาการอิเล็กทรอนิกส์แบบแท้ใหม่ขายร้อน MAX521ACAG

สายวงจรบูรณาการอิเล็กทรอนิกส์แบบแท้ใหม่ขายร้อน MAX521ACAG

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
สายวงจรบูรณาการอิเล็กทรอนิกส์แบบขายร้อนใหม่

สายวงจรบูรณาการอิเล็กทรอนิกส์แบบขายร้อนใหม่

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
เครื่องวงจรบูรณาการ LT1963AEQ-3.3#PBF

เครื่องวงจรบูรณาการ LT1963AEQ-3.3#PBF

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
ผลิตภัณฑ์

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สายประจุลื่นแบบฟรีสเกล

Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
ห้อง 2808-2809, Duhuixuan, No. 3018, Shennan Avenue, Huahang Community, Huaqiang North Street, Futian District, Shenzhen
ลิงค์เร็ว
โปรไฟล์บริษัท ทัวร์โรงงาน การควบคุมคุณภาพ ข่าว แผนผังเว็บไซต์ นโยบายความเป็นส่วนตัว
จีน คุณภาพดี ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ผู้จัดจําหน่าย.ลิขสิทธิ์ 2023-2025 electroniccomponentsics.com สิทธิทั้งหมดถูกเก็บไว้