ผลิตภัณฑ์

บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ไมครอน ISSI ซัมซุง > MCU Ic ชิป MC80F0708G M1MA141KT1 SN74LV541A DIP-28

ประเภท

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

(1488)

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(161)

เครื่องกันและ เครื่องประปา

(3013)

ติดต่อ

ติดต่อ: Miss. Abby

โทรศัพท์: 86-130-4904-4451

แฟ็กซ์:

ติดต่อตอนนี้

โทรหาเรา

MCU Ic ชิป MC80F0708G M1MA141KT1 SN74LV541A DIP-28

Name: MCU Ic ชิป MC80F0708G M1MA141KT1 SN74LV541A DIP-28
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: MC80F0708GP
Price: 0.99 USD
Availability: InStock

รายละเอียดสินค้า

สถานที่กำเนิด: กวางตุ้ง, จีน

ชื่อแบรนด์: original

หมายเลขรุ่น: MC80F0708GP

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

ราคา: $0.99/pieces 1-999 pieces

รายละเอียดการบรรจุ: MCU ic chip MC80F0708G M1MA141KT1 SN74LV541A DIP-28 ชิป MCU IC MC80F0708G M1MA141KT1 SN74L

สามารถในการผลิต: 10,000 ชิ้น / ชิ้นต่อวัน

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า

เน้น:

สภาพ:

แบรนด์ใหม่และเป็นต้นฉบับ

สถานะปลอดสารตะกั่ว:

เป็นไปตาม RoHS

การบรรจุ:

ยืนบรรจุ

จัดส่งโดย:

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK โพสต์

การรับประกัน:

30-90 วัน

ชื่อ:

ไอซี mc80f0708g p

ประเภท:

วงจรรวม, ไดรฟ์ไอซี

คําอธิบาย:

ชิปไอซี

แรงดัน - พังทลาย:

วี

ความถี่ - การสลับ:

ฮ

กำลังไฟ (วัตต์):

ใน

อุณหภูมิการทํางาน:

ค

ประเภทการติดตั้ง:

มาตรฐาน

แรงดัน - การจ่ายไฟ (นาที):

วี

แรงดัน - แหล่งจ่าย (สูงสุด):

วี

แรงดัน-เอาท์พุต:

วี

ปัจจุบัน - เอาต์พุต / ช่อง:

ก

ความถี่:

ฮ

การใช้งาน:

วงจรรวม

ประเภท FET:

-

กระแส - เอาท์พุต (สูงสุด):

-

ปัจจุบัน - อุปทาน:

-

โลเตจ - การให้บริการ:

-

ความถี่ - สูงสุด:

-

กำลัง - สูงสุด:

-

ความอดทน:

-

ปฏิบัติการ:

-

แหล่งจ่ายแรงดัน - ภายใน:

-

ความถี่ - จุดตัดหรือกึ่งกลาง:

-

กระแสไฟรั่ว (IS(ปิด)) (สูงสุด):

-

พลังที่แยกได้:

-

แรงดันไฟฟ้า - การแยก:

-

กระแส - เอาต์พุต สูง, ต่ำ:

-

ปัจจุบัน - เอาต์พุตสูงสุด:

-

แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (ประเภท):

-

ปัจจุบัน - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด):

-

ประเภทอินพุต:

-

ประเภทผลิต:

-

อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (ต่ำสุด):

-

อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (สูงสุด):

-

ความดัน - การออก (สูงสุด):

-

แรงดันไฟฟ้า - ปิดสถานะ:

-

dV/dt แบบคงที่ (ต่ำสุด):

-

ปัจจุบัน - ทริกเกอร์ LED (ถ้า) (สูงสุด):

-

ปัจจุบัน - อยู่ในสถานะ (It (RMS)) (สูงสุด):

-

ความต้านทาน:

-

อิมพีแดนซ์ - ไม่สมดุล/สมดุล:

-

ความถี่ LO:

-

ความถี่ RF:

-

ช่วงอินพุต:

-

พลังการออก:

-

คลื่นความถี่ (ต่ำ / สูง):

-

รายละเอียด:

-

ขนาด/มิติ:

-

การมอดูเลตหรือโปรโตคอล:

-

อินเตอร์เฟซ:

-

เพาเวอร์-เอาท์พุต:

20.5dBm, 20.5dBm

ขนาดหน่วยความจำ:

รอม 448kB, แรม 536kB

มาตรการ:

802.11b/g/n

การปรับ:

CCK, DSSS, OFDM

อินเทอร์เฟซแบบอนุกรม:

GPIO, ไอซี, คือ, PWM, SDIO, SPI, UART

จีพีไอโอ:

-

IC ที่ใช้งาน / ชิ้นส่วน:

ESP32-D0WD, ESP32-D0WD

มาตรฐาน:

-

สไตล์:

-

ประเภทหน่วยความจำ:

-

หน่วยความจำที่เขียนได้:

-

ความต้านทาน (โอห์ม):

-

การอ้างอิงข้าม:

-

ท่าเรือ:

เชียงใหม่

สภาพ:

แบรนด์ใหม่และเป็นต้นฉบับ

สถานะปลอดสารตะกั่ว:

เป็นไปตาม RoHS

การบรรจุ:

ยืนบรรจุ

จัดส่งโดย:

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK โพสต์

การรับประกัน:

30-90 วัน

ชื่อ:

ไอซี mc80f0708g p

ประเภท:

วงจรรวม, ไดรฟ์ไอซี

คําอธิบาย:

ชิปไอซี

แรงดัน - พังทลาย:

วี

ความถี่ - การสลับ:

ฮ

กำลังไฟ (วัตต์):

ใน

อุณหภูมิการทํางาน:

ค

ประเภทการติดตั้ง:

มาตรฐาน

แรงดัน - การจ่ายไฟ (นาที):

วี

แรงดัน - แหล่งจ่าย (สูงสุด):

วี

แรงดัน-เอาท์พุต:

วี

ปัจจุบัน - เอาต์พุต / ช่อง:

ก

ความถี่:

ฮ

การใช้งาน:

วงจรรวม

ประเภท FET:

-

กระแส - เอาท์พุต (สูงสุด):

-

ปัจจุบัน - อุปทาน:

-

โลเตจ - การให้บริการ:

-

ความถี่ - สูงสุด:

-

กำลัง - สูงสุด:

-

ความอดทน:

-

ปฏิบัติการ:

-

แหล่งจ่ายแรงดัน - ภายใน:

-

ความถี่ - จุดตัดหรือกึ่งกลาง:

-

กระแสไฟรั่ว (IS(ปิด)) (สูงสุด):

-

พลังที่แยกได้:

-

แรงดันไฟฟ้า - การแยก:

-

กระแส - เอาต์พุต สูง, ต่ำ:

-

ปัจจุบัน - เอาต์พุตสูงสุด:

-

แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (ประเภท):

-

ปัจจุบัน - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด):

-

ประเภทอินพุต:

-

ประเภทผลิต:

-

อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (ต่ำสุด):

-

อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (สูงสุด):

-

ความดัน - การออก (สูงสุด):

-

แรงดันไฟฟ้า - ปิดสถานะ:

-

dV/dt แบบคงที่ (ต่ำสุด):

-

ปัจจุบัน - ทริกเกอร์ LED (ถ้า) (สูงสุด):

-

ปัจจุบัน - อยู่ในสถานะ (It (RMS)) (สูงสุด):

-

ความต้านทาน:

-

อิมพีแดนซ์ - ไม่สมดุล/สมดุล:

-

ความถี่ LO:

-

ความถี่ RF:

-

ช่วงอินพุต:

-

พลังการออก:

-

คลื่นความถี่ (ต่ำ / สูง):

-

รายละเอียด:

-

ขนาด/มิติ:

-

การมอดูเลตหรือโปรโตคอล:

-

อินเตอร์เฟซ:

-

เพาเวอร์-เอาท์พุต:

20.5dBm, 20.5dBm

ขนาดหน่วยความจำ:

รอม 448kB, แรม 536kB

มาตรการ:

802.11b/g/n

การปรับ:

CCK, DSSS, OFDM

อินเทอร์เฟซแบบอนุกรม:

GPIO, ไอซี, คือ, PWM, SDIO, SPI, UART

จีพีไอโอ:

-

IC ที่ใช้งาน / ชิ้นส่วน:

ESP32-D0WD, ESP32-D0WD

มาตรฐาน:

-

สไตล์:

-

ประเภทหน่วยความจำ:

-

หน่วยความจำที่เขียนได้:

-

ความต้านทาน (โอห์ม):

-

การอ้างอิงข้าม:

-

ท่าเรือ:

เชียงใหม่

MCU Ic ชิป MC80F0708G M1MA141KT1 SN74LV541A DIP-28

เชียงราย Qingfengyuan เทคโนโลยี จํากัด
ยินดีต้อนรับสู่บริษัทของเรา! เราคือแหล่งที่หลากหลายสําหรับองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ (BOM) ความเชี่ยวชาญของเราอยู่ที่การจัดหาองค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์หลากหลายเพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลายของคุณเรานําเสนอ:- เซมคอนดักเตอร์: ไมโครคอนโทรลเลอร์, ทรานซิสเตอร์, ไดโอเดส, วงจรบูรณาการ (ICs) - ส่วนประกอบปาสิฟ: แทน, คอนเดเซนเตอร์, อินดูเตอร์, เครื่องเชื่อม - ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์: สวิทช์รีเล่, เครื่องประกอบเซนเซอร์ - พลังงานประกอบไฟฟ้า: ระบบควบคุมความตึงเครียด, เครื่องแปลงพลังงาน, การบริหารแบตเตอรี่ - ออปโตอีเลคทรอนิกส์: LED, เลเซอร์, โฟโตไดโอเดส, เซ็นเซอร์ออปติก - RF และส่วนประกอบไร้สาย: โมดูล RF,แอนเทนเนส สื่อสารไร้สาย - เซ็นเซอร์: เซ็นเซอร์อุณหภูมิ เซ็นเซอร์การเคลื่อนไหว เซ็นเซอร์สิ่งแวดล้อม

ประเภท: วงจรบูรณาการ ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
DC22+
MOQ:1pc
แพ็คเกจ: มาตรฐาน
ระดับชิปที่มีฟังก์ชันที่กว้างขวางและครอบคลุมหลายพื้นที่การใช้งานที่แตกต่างกัน เช่น การสื่อสาร การประมวลภาพ การควบคุมเซ็นเซอร์ การประมวลเสียง การจัดการพลังงาน และอื่น ๆ อีกมากมาย

ชิปแบบที่เรามี

เครื่องวงจรบูรณาการ อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบ
IC ของเครื่องเปรียบเทียบ
Encoder-Decoder เครื่องรหัส
IC ที่สัมผัส
เครื่องอัดส่องความแรงกดดัน
เครื่องขยายเสียง
กําหนดการรีเซ็ตตัวตรวจจับ IC
IC เครื่องขยายพลังงาน
IC การประมวลผลอินฟราเรด
ชิปอินเตอร์เฟส
ชิปบลูทูธ
บูสต์และบัคชิป
ชิปฐานเวลา
ชิปสื่อสารนาฬิกา
IC เครื่องรับสัญญาณ
IC RF แบบไร้สาย
เครื่องต่อรองชิป
ชิปเก็บข้อมูล 2
ชิปอีเทอร์เน็ต
วงจรบูรณาการ องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์

Tags:

IS61C3216AL ไมครอน ISSI Samsung,

ชิปรวม Ic VFBGA-63,

ไมครอน ISSI Samsung DRAM 4GBIT

ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน

IS42S16800F แพ็คเกจ ISSI Samsung Electronic Components 44-TSOP

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

IS41LV16100C ไมครอน ISSI Samsung ISSI Ic วงจรรวม

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

K4B4G1646E-BYMA แพ็คเกจ DDR SDRAM ของ Samsung FBGA-96 ROHS

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

IS62WV51216BLL-55TLI ชิปหน่วยความจำ Ic BOM MouseReel บรรจุภัณฑ์

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

MT40A1G16KD-062E ไมครอน ISSI Samsung Ic ชิปรวม VFBGA-63

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

PARALLEL Merrillchip Micron ISSI Samsung IC DRAM 4GBIT MT41K256M16TW-107 IT:P

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

ORIGINAL IC Mosfet ทรานซิสเตอร์ 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 คู่เสียง 2sa 1943 sc5200 5200 ในคลัง

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

ออริจินอล 600V 120A 298W 60n60 DIP IGBT ทรานซิสเตอร์ FGH60N60SFD FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD FGH60N60

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

สายวงจรบูรณาการอิเล็กทรอนิกส์แบบแท้ใหม่ขายร้อน MAX521ACAG

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

สายวงจรบูรณาการอิเล็กทรอนิกส์แบบขายร้อนใหม่

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

เครื่องวงจรบูรณาการ LT1963AEQ-3.3#PBF

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด

สภาพ:	แบรนด์ใหม่และเป็นต้นฉบับ	สถานะปลอดสารตะกั่ว:	เป็นไปตาม RoHS
การบรรจุ:	ยืนบรรจุ	จัดส่งโดย:	DHL\UPS\Fedex\EMS\HK โพสต์
การรับประกัน:	30-90 วัน	ชื่อ:	ไอซี mc80f0708g p
ประเภท:	วงจรรวม, ไดรฟ์ไอซี	คําอธิบาย:	ชิปไอซี
แรงดัน - พังทลาย:	วี	ความถี่ - การสลับ:	ฮ
กำลังไฟ (วัตต์):	ใน	อุณหภูมิการทํางาน:	ค
ประเภทการติดตั้ง:	มาตรฐาน	แรงดัน - การจ่ายไฟ (นาที):	วี
แรงดัน - แหล่งจ่าย (สูงสุด):	วี	แรงดัน-เอาท์พุต:	วี
ปัจจุบัน - เอาต์พุต / ช่อง:	ก	ความถี่:	ฮ
การใช้งาน:	วงจรรวม	ประเภท FET:	-
กระแส - เอาท์พุต (สูงสุด):	-	ปัจจุบัน - อุปทาน:	-
โลเตจ - การให้บริการ:	-	ความถี่ - สูงสุด:	-
กำลัง - สูงสุด:	-	ความอดทน:	-
ปฏิบัติการ:	-	แหล่งจ่ายแรงดัน - ภายใน:	-
ความถี่ - จุดตัดหรือกึ่งกลาง:	-	กระแสไฟรั่ว (IS(ปิด)) (สูงสุด):	-
พลังที่แยกได้:	-	แรงดันไฟฟ้า - การแยก:	-
กระแส - เอาต์พุต สูง, ต่ำ:	-	ปัจจุบัน - เอาต์พุตสูงสุด:	-
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (ประเภท):	-	ปัจจุบัน - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด):	-
ประเภทอินพุต:	-	ประเภทผลิต:	-
อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (ต่ำสุด):	-	อัตราส่วนการถ่ายโอนปัจจุบัน (สูงสุด):	-
ความดัน - การออก (สูงสุด):	-	แรงดันไฟฟ้า - ปิดสถานะ:	-
dV/dt แบบคงที่ (ต่ำสุด):	-	ปัจจุบัน - ทริกเกอร์ LED (ถ้า) (สูงสุด):	-
ปัจจุบัน - อยู่ในสถานะ (It (RMS)) (สูงสุด):	-	ความต้านทาน:	-
อิมพีแดนซ์ - ไม่สมดุล/สมดุล:	-	ความถี่ LO:	-
ความถี่ RF:	-	ช่วงอินพุต:	-
พลังการออก:	-	คลื่นความถี่ (ต่ำ / สูง):	-
รายละเอียด:	-	ขนาด/มิติ:	-
การมอดูเลตหรือโปรโตคอล:	-	อินเตอร์เฟซ:	-
เพาเวอร์-เอาท์พุต:	20.5dBm, 20.5dBm	ขนาดหน่วยความจำ:	รอม 448kB, แรม 536kB
มาตรการ:	802.11b/g/n	การปรับ:	CCK, DSSS, OFDM
อินเทอร์เฟซแบบอนุกรม:	GPIO, ไอซี, คือ, PWM, SDIO, SPI, UART	จีพีไอโอ:	-
IC ที่ใช้งาน / ชิ้นส่วน:	ESP32-D0WD, ESP32-D0WD	มาตรฐาน:	-
สไตล์:	-	ประเภทหน่วยความจำ:	-
หน่วยความจำที่เขียนได้:	-	ความต้านทาน (โอห์ม):	-
การอ้างอิงข้าม:	-	ท่าเรือ:	เชียงใหม่

ชิปแบบที่เรามี
เครื่องวงจรบูรณาการ อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบ	IC ของเครื่องเปรียบเทียบ	Encoder-Decoder เครื่องรหัส	IC ที่สัมผัส
เครื่องอัดส่องความแรงกดดัน	เครื่องขยายเสียง	กําหนดการรีเซ็ตตัวตรวจจับ IC	IC เครื่องขยายพลังงาน
IC การประมวลผลอินฟราเรด	ชิปอินเตอร์เฟส	ชิปบลูทูธ	บูสต์และบัคชิป
ชิปฐานเวลา	ชิปสื่อสารนาฬิกา	IC เครื่องรับสัญญาณ	IC RF แบบไร้สาย
เครื่องต่อรองชิป	ชิปเก็บข้อมูล 2	ชิปอีเทอร์เน็ต	วงจรบูรณาการ องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สารกึ่งตัวนำ Freescale

วิชญ์ ไอซี

Infineon ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

ไอซีวงจรรวม

เอโอเอส ไอซี

Atmel ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

อัลเทอร่าชิพ

ซีลินซ์ ไอซี

ไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

ไมครอน ISSI ซัมซุง

ไดโอด ไตรโอด ทรานซิสเตอร์

ROHM UTC ICS

วงจรรวมไมโครชิป

เครื่องกันและ เครื่องประปา

MCU Ic ชิป MC80F0708G M1MA141KT1 SN74LV541A DIP-28

เชียงราย Qingfengyuan เทคโนโลยี จํากัด

IS61C3216AL ไมครอน ISSI Samsung,

ชิปรวม Ic VFBGA-63,

ไอซีชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

เซนต์ ไอซีเอส

เรเนซาส ไอซี

ADI ของอุปกรณ์อะนาล็อก

เซมิคอนดักเตอร์แห่งชาติของ Texas Instruments

บนเซมิคอนดักเตอร์แฟร์ไชลด์

สารกึ่งตัวนำ Freescale