DC22+
MOQ:1pc
แพ็คเกจ: มาตรฐาน
ระดับชิปที่มีฟังก์ชันที่กว้างขวางและครอบคลุมหลายพื้นที่การใช้งานที่แตกต่างกัน เช่น การสื่อสาร การประมวลภาพ การควบคุมเซ็นเซอร์ การประมวลเสียง การจัดการพลังงาน และอื่น ๆ อีกมากมาย
รายละเอียดสินค้า
สถานที่กำเนิด: กวางตุ้ง, จีน
ชื่อแบรนด์: original
หมายเลขรุ่น: TK8A60DA
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
ราคา: $0.10/pieces 1-499 pieces
รายละเอียดการบรรจุ: แพคเกจการส่งออก
สามารถในการผลิต: 10000 ชิ้น/ชิ้นต่อเดือน
ประเภท: |
-, ทรานซิสเตอร์ IGBT |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-, 55 150 |
ซีรี่ย์: |
มาตรฐาน |
ประเภทการติดตั้ง: |
กำหนดเอง, -, ทะลุรู |
คําอธิบาย: |
กำหนดเอง |
กระแสตรง: |
2021 |
ประเภทของแพคเกจ: |
- |
การใช้งาน: |
มาตรฐาน |
ประเภทของผู้ให้บริการ: |
ผู้ผลิตดั้งเดิม, เอเจนซี่, อื่นๆ |
การอ้างอิงข้าม: |
มาตรฐาน |
มีสื่อ: |
แผ่นข้อมูล ภาพถ่าย อื่นๆ |
ยี่ห้อ: |
- |
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): |
มาตรฐาน |
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด): |
- |
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic: |
- |
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด): |
มาตรฐาน |
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce: |
- |
กำลัง - สูงสุด: |
มาตรฐาน |
ความถี่ - การเปลี่ยน: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-220SIS |
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1): |
- |
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2): |
- |
ประเภท FET: |
-, เอ็น-แชนแนล |
คุณสมบัติ FET: |
- |
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): |
- |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C: |
- |
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: |
- |
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: |
- |
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: |
- |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: |
- |
ความถี่: |
- |
พิกัดกระแสไฟ (แอมป์): |
- |
รูปเสียงรบกวน: |
- |
เพาเวอร์-เอาท์พุต: |
- |
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: |
- |
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds): |
- |
Vgs (สูงสุด): |
- |
ประเภท IGBT: |
- |
การกำหนดค่า: |
- |
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic: |
- |
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce: |
- |
หน่วยงาน: |
- |
กทช เทอร์มิสเตอร์: |
- |
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): |
- |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- |
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (รหัส) - สูงสุด: |
- |
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส: |
- |
ความต้านทาน - RDS (เปิด): |
- |
โวลเตชั่น: |
- |
แรงดัน-เอาท์พุต: |
- |
แรงดันไฟฟ้า - ออฟเซ็ต (Vt): |
- |
ปัจจุบัน - การรั่วไหลของประตูสู่ขั้วบวก (Igao): |
- |
ปัจจุบัน - หุบเขา (Iv): |
- |
ปัจจุบัน - สูงสุด: |
- |
การใช้งาน: |
- |
ประเภททรานซิสเตอร์: |
mrf150 ทรานซิสเตอร์กำลัง rf |
สถานะชิ้นส่วน: |
กิจกรรม |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-220 |
การบรรจุ: |
ท่อ |
การรับประกัน: |
365 วัน |
รหัสข้อมูล: |
รายละเอียดล่าสุด |
วิธีการชำระเงิน: |
ยอมรับทั้งหมด |
ท่าเรือ: |
เซินเจิ้น |
ประเภท: |
-, ทรานซิสเตอร์ IGBT |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-, 55 150 |
ซีรี่ย์: |
มาตรฐาน |
ประเภทการติดตั้ง: |
กำหนดเอง, -, ทะลุรู |
คําอธิบาย: |
กำหนดเอง |
กระแสตรง: |
2021 |
ประเภทของแพคเกจ: |
- |
การใช้งาน: |
มาตรฐาน |
ประเภทของผู้ให้บริการ: |
ผู้ผลิตดั้งเดิม, เอเจนซี่, อื่นๆ |
การอ้างอิงข้าม: |
มาตรฐาน |
มีสื่อ: |
แผ่นข้อมูล ภาพถ่าย อื่นๆ |
ยี่ห้อ: |
- |
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): |
มาตรฐาน |
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด): |
- |
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic: |
- |
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด): |
มาตรฐาน |
กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce: |
- |
กำลัง - สูงสุด: |
มาตรฐาน |
ความถี่ - การเปลี่ยน: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-220SIS |
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1): |
- |
ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2): |
- |
ประเภท FET: |
-, เอ็น-แชนแนล |
คุณสมบัติ FET: |
- |
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): |
- |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C: |
- |
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: |
- |
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: |
- |
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: |
- |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: |
- |
ความถี่: |
- |
พิกัดกระแสไฟ (แอมป์): |
- |
รูปเสียงรบกวน: |
- |
เพาเวอร์-เอาท์พุต: |
- |
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด: |
- |
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds): |
- |
Vgs (สูงสุด): |
- |
ประเภท IGBT: |
- |
การกำหนดค่า: |
- |
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic: |
- |
ความจุอินพุต (Cies) @ Vce: |
- |
หน่วยงาน: |
- |
กทช เทอร์มิสเตอร์: |
- |
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): |
- |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
- |
ท่อระบายน้ำปัจจุบัน (รหัส) - สูงสุด: |
- |
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส: |
- |
ความต้านทาน - RDS (เปิด): |
- |
โวลเตชั่น: |
- |
แรงดัน-เอาท์พุต: |
- |
แรงดันไฟฟ้า - ออฟเซ็ต (Vt): |
- |
ปัจจุบัน - การรั่วไหลของประตูสู่ขั้วบวก (Igao): |
- |
ปัจจุบัน - หุบเขา (Iv): |
- |
ปัจจุบัน - สูงสุด: |
- |
การใช้งาน: |
- |
ประเภททรานซิสเตอร์: |
mrf150 ทรานซิสเตอร์กำลัง rf |
สถานะชิ้นส่วน: |
กิจกรรม |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-220 |
การบรรจุ: |
ท่อ |
การรับประกัน: |
365 วัน |
รหัสข้อมูล: |
รายละเอียดล่าสุด |
วิธีการชำระเงิน: |
ยอมรับทั้งหมด |
ท่าเรือ: |
เซินเจิ้น |
ชิปแบบที่เรามี | ||||||
เครื่องวงจรบูรณาการ อิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบ | IC ของเครื่องเปรียบเทียบ | Encoder-Decoder เครื่องรหัส | IC ที่สัมผัส | |||
เครื่องอัดส่องความแรงกดดัน | เครื่องขยายเสียง | กําหนดการรีเซ็ตตัวตรวจจับ IC | IC เครื่องขยายพลังงาน | |||
IC การประมวลผลอินฟราเรด | ชิปอินเตอร์เฟส | ชิปบลูทูธ | บูสต์และบัคชิป | |||
ชิปฐานเวลา | ชิปสื่อสารนาฬิกา | IC เครื่องรับสัญญาณ | IC RF แบบไร้สาย | |||
เครื่องต่อรองชิป | ชิปเก็บข้อมูล 2 | ชิปอีเทอร์เน็ต | วงจรบูรณาการ องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์ |