ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
อ้างอิง

J112

รายละเอียดสินค้า

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

คําอธิบาย: เจเฟต N-CH 35V TO92-3

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
เน้น:
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET
ประเภท FET:
N-ช่อง
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):
35 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรีย์:
-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์
Mfr:
ออนเซมิ
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:
1 V @ 1 µA
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-92-3
กล่อง / กระเป๋า:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
-
กำลัง - สูงสุด:
625 มิลลิวัตต์
ความต้านทาน - RDS (เปิด):
50 โอห์ม
เลขสินค้าพื้นฐาน:
J112
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET
ประเภท FET:
N-ช่อง
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):
35 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรีย์:
-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์
Mfr:
ออนเซมิ
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:
1 V @ 1 µA
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-92-3
กล่อง / กระเป๋า:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
-
กำลัง - สูงสุด:
625 มิลลิวัตต์
ความต้านทาน - RDS (เปิด):
50 โอห์ม
เลขสินค้าพื้นฐาน:
J112
J112
JFET N-Channel 35 V 625 mW ผ่านหลุม TO-92-3
ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน
2P4M IRFP260N 200V 50A ทรานซิสเตอร์ไดโอด Triode TO-247 IRFP 2P4M วิดีโอ
MBRF30100VT+ ทรานซิสเตอร์ไดโอด Triode Mosfet Array Ic 600V 15A To247 วิดีโอ