ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
อ้างอิง

J111RLRPG

รายละเอียดสินค้า

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

คําอธิบาย: เจเฟต N-CH 35V TO92

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
เน้น:
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET
ประเภท FET:
N-ช่อง
สถานะสินค้า:
ปราศการ
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):
35 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:
-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์
Mfr:
ออนเซมิ
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:
3 V @ 1 µA
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-92 (ถึง-226)
กล่อง / กระเป๋า:
TO-226-3, TO-92-3 ตัวยาว (สายยางขึ้นรูป)
อุณหภูมิการทํางาน:
-65°C ~ 150°C (TJ)
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
-
กำลัง - สูงสุด:
350มิลลิวัตต์
ความต้านทาน - RDS (เปิด):
30 โอห์ม
เลขสินค้าพื้นฐาน:
เจ111
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET
ประเภท FET:
N-ช่อง
สถานะสินค้า:
ปราศการ
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):
35 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:
-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์
Mfr:
ออนเซมิ
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:
3 V @ 1 µA
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-92 (ถึง-226)
กล่อง / กระเป๋า:
TO-226-3, TO-92-3 ตัวยาว (สายยางขึ้นรูป)
อุณหภูมิการทํางาน:
-65°C ~ 150°C (TJ)
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
-
กำลัง - สูงสุด:
350มิลลิวัตต์
ความต้านทาน - RDS (เปิด):
30 โอห์ม
เลขสินค้าพื้นฐาน:
เจ111
J111RLRPG
JFET N-Channel 35 V 350 mW ผ่านหลุม TO-92 (TO-226)
ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน
2P4M IRFP260N 200V 50A ทรานซิสเตอร์ไดโอด Triode TO-247 IRFP 2P4M วิดีโอ
MBRF30100VT+ ทรานซิสเตอร์ไดโอด Triode Mosfet Array Ic 600V 15A To247 วิดีโอ