รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: เจเฟต N-CH 40V TO218
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
ประเภท FET: |
N-ช่อง |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): |
40 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แพ็คเกจ: |
กระเป๋า |
ซีรีย์: |
- |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
50 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์ |
Mfr: |
บริษัท เอ็นทีอี อิเล็กทรอนิกส์ จํากัด |
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส: |
4 โวลต์ @ 500 pA |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ถึง-218 |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-218-3 |
กำลัง - สูงสุด: |
360 มิลลิวัตต์ |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: |
18pF @ 10V |
ความต้านทาน - RDS (เปิด): |
25 โอห์ม |
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): |
40 โวลต์ |
อุณหภูมิการทํางาน: |
- |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
ประเภท FET: |
N-ช่อง |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): |
40 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แพ็คเกจ: |
กระเป๋า |
ซีรีย์: |
- |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
50 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์ |
Mfr: |
บริษัท เอ็นทีอี อิเล็กทรอนิกส์ จํากัด |
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส: |
4 โวลต์ @ 500 pA |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ถึง-218 |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-218-3 |
กำลัง - สูงสุด: |
360 มิลลิวัตต์ |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: |
18pF @ 10V |
ความต้านทาน - RDS (เปิด): |
25 โอห์ม |
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): |
40 โวลต์ |
อุณหภูมิการทํางาน: |
- |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
