logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
อ้างอิง

2N4860UB/TR

รายละเอียดสินค้า

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

คําอธิบาย: เจเอฟเอ็ท N-CH 30V

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
เน้น:
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET
ประเภท FET:
N-ช่อง
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):
30 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):
100 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:
6 โวลต์ @ 500 พีเอ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
-
กล่อง / กระเป๋า:
3-SMD ไม่มีสารตะกั่ว
กำลัง - สูงสุด:
360 มิลลิวัตต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
18pF @ 10V
ความต้านทาน - RDS (เปิด):
40 โอห์ม
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss):
30 โวลต์
เลขสินค้าพื้นฐาน:
2N4860
อุณหภูมิการทํางาน:
-65°C ~ 200°C (ทีเจ)
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET
ประเภท FET:
N-ช่อง
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):
30 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:
เทป & รีล (TR)
ซีรี่ย์:
-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):
100 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:
6 โวลต์ @ 500 พีเอ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
-
กล่อง / กระเป๋า:
3-SMD ไม่มีสารตะกั่ว
กำลัง - สูงสุด:
360 มิลลิวัตต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
18pF @ 10V
ความต้านทาน - RDS (เปิด):
40 โอห์ม
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss):
30 โวลต์
เลขสินค้าพื้นฐาน:
2N4860
อุณหภูมิการทํางาน:
-65°C ~ 200°C (ทีเจ)
2N4860UB/TR
JFET N-Channel 30 V 360 mW ติดผิว
ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน
2P4M IRFP260N 200V 50A ทรานซิสเตอร์ไดโอด Triode TO-247 IRFP 2P4M วิดีโอ
MBRF30100VT+ ทรานซิสเตอร์ไดโอด Triode Mosfet Array Ic 600V 15A To247 วิดีโอ
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด