logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
อ้างอิง

มอก.74

รายละเอียดสินค้า

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

คําอธิบาย: เจเฟต N-CH 30V TO92-3

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
เน้น:
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET
ประเภท FET:
N-ช่อง
สถานะสินค้า:
ปราศการ
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):
30 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์
Mfr:
เซมี่
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:
2 โวลต์ @ 4 นาโนเอ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-92-3
กล่อง / กระเป๋า:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
18pF @ 10V (VGS)
กำลัง - สูงสุด:
350มิลลิวัตต์
ความต้านทาน - RDS (เปิด):
40 โอห์ม
เลขสินค้าพื้นฐาน:
มอก.74
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET
ประเภท FET:
N-ช่อง
สถานะสินค้า:
ปราศการ
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):
30 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:
ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรี่ย์:
-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์
Mfr:
เซมี่
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:
2 โวลต์ @ 4 นาโนเอ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
TO-92-3
กล่อง / กระเป๋า:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
อุณหภูมิการทํางาน:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:
18pF @ 10V (VGS)
กำลัง - สูงสุด:
350มิลลิวัตต์
ความต้านทาน - RDS (เปิด):
40 โอห์ม
เลขสินค้าพื้นฐาน:
มอก.74
มอก.74
JFET N-Channel 30 V 350 mW ผ่านหลุม TO-92-3
ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน
2P4M IRFP260N 200V 50A ทรานซิสเตอร์ไดโอด Triode TO-247 IRFP 2P4M วิดีโอ
MBRF30100VT+ ทรานซิสเตอร์ไดโอด Triode Mosfet Array Ic 600V 15A To247 วิดีโอ
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด