ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET	ประเภท FET:	พี-แชนแนล
สถานะสินค้า:	ปราศการ	แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):	30 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ผ่านหลุม	แพ็คเกจ:	เทป & กล่อง (TB)
ซีรีย์:	-	ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):	1.5 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์
Mfr:	เอ็นเอ็กซ์พี ยูเอสเอ อิงค์	แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:	800 มิลลิโวลต์ @ 10 นาโนเอ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	TO-92-3	กล่อง / กระเป๋า:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) เกิดโอกาสในการขาย
กำลัง - สูงสุด:	400มิลลิวัตต์	ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:	8pF @ 10V (VGS)
ความต้านทาน - RDS (เปิด):	300 โอห์ม	ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss):	30 โวลต์
เลขสินค้าพื้นฐาน:	เจ177	อุณหภูมิการทํางาน:	150°C (ทีเจ)

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET
ประเภท FET:	พี-แชนแนล
สถานะสินค้า:	ปราศการ
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS):	30 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ผ่านหลุม
แพ็คเกจ:	เทป & กล่อง (TB)
ซีรีย์:	-
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0):	1.5 มิลลิแอมป์ @ 15 โวลต์
Mfr:	เอ็นเอ็กซ์พี ยูเอสเอ อิงค์
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส:	800 มิลลิโวลต์ @ 10 นาโนเอ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	TO-92-3
กล่อง / กระเป๋า:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) เกิดโอกาสในการขาย
กำลัง - สูงสุด:	400มิลลิวัตต์
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds:	8pF @ 10V (VGS)
ความต้านทาน - RDS (เปิด):	300 โอห์ม
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss):	30 โวลต์
เลขสินค้าพื้นฐาน:	เจ177
อุณหภูมิการทํางาน:	150°C (ทีเจ)