รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: เจเฟต 2N-CH 50V 8SOIC
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
ประเภท FET: |
2 N-ช่องสัญญาณ (คู่) |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): |
50 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรี่ย์: |
เอสเอสที406 |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
500 µA @ 10 V |
Mfr: |
ลิเนียร์ อินทิเกรเต็ด ซิสเต็มส์ อิงค์ |
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส: |
500 มิลลิโวลต์ @ 1 นาโนเอ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
8-SOIC |
กล่อง / กระเป๋า: |
8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: |
8pF @ 15V |
กำลัง - สูงสุด: |
300 มิลลิวัตต์ |
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): |
50 โวลต์ |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
ประเภท FET: |
2 N-ช่องสัญญาณ (คู่) |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
แรงดัน - พัง (V(BR)GSS): |
50 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรี่ย์: |
เอสเอสที406 |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
500 µA @ 10 V |
Mfr: |
ลิเนียร์ อินทิเกรเต็ด ซิสเต็มส์ อิงค์ |
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส: |
500 มิลลิโวลต์ @ 1 นาโนเอ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
8-SOIC |
กล่อง / กระเป๋า: |
8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.) |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: |
8pF @ 15V |
กำลัง - สูงสุด: |
300 มิลลิวัตต์ |
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): |
50 โวลต์ |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
