รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: JFET N-Channel -40V Ciss ต่ำ
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
ประเภท FET: |
N-ช่อง |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
แผ่น |
ซีรีย์: |
SMP4117 |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
60 µA @ 10 V |
Mfr: |
อินเตอร์เฟต |
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส: |
1.2 โวลต์ @ 1 นาโนเอ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
สท-23-3 |
กล่อง / กระเป๋า: |
สท-23-3 |
กำลัง - สูงสุด: |
350มิลลิวัตต์ |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: |
1.8pF @ 10V |
ความต้านทาน - RDS (เปิด): |
12.5 โอห์ม |
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): |
40 โวลต์ |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ JFET |
ประเภท FET: |
N-ช่อง |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
แผ่น |
ซีรีย์: |
SMP4117 |
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำ (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
60 µA @ 10 V |
Mfr: |
อินเตอร์เฟต |
แรงดันไฟฟ้า - การตัด (ปิด VGS) @ รหัส: |
1.2 โวลต์ @ 1 นาโนเอ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
สท-23-3 |
กล่อง / กระเป๋า: |
สท-23-3 |
กำลัง - สูงสุด: |
350มิลลิวัตต์ |
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: |
1.8pF @ 10V |
ความต้านทาน - RDS (เปิด): |
12.5 โอห์ม |
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): |
40 โวลต์ |
อุณหภูมิการทํางาน: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
