รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: Diode Avalanche 800V 2A SOD57
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
1 μA @ 800 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.15V@2.5A |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT) |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
40pF @ 0V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
SOD-57 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
4 µs |
Mfr: |
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น |
เทคโนโลย: |
หิมะถล่ม |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
SOD-57, แอกเซียล |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
800 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
2A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N5062 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
1 μA @ 800 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.15V@2.5A |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT) |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
40pF @ 0V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
SOD-57 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
4 µs |
Mfr: |
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น |
เทคโนโลย: |
หิมะถล่ม |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
SOD-57, แอกเซียล |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
800 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
2A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
1N5062 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
