ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	1 μA @ 800 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.85 V @ 1 A	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT)
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101, eSMP®	ความจุ @ Vr, F:	7.5pf @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-220AA (เอสเอ็มพี)	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	75 น
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น	เทคโนโลย:	หิมะถล่ม
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 175°C	กล่อง / กระเป๋า:	DO-220AA
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	800 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	1A
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	AU1

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	1 μA @ 800 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.85 V @ 1 A
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT)
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101, eSMP®
ความจุ @ Vr, F:	7.5pf @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-220AA (เอสเอ็มพี)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	75 น
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	หิมะถล่ม
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:	DO-220AA
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	800 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	1A
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	AU1