รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: 650V 200A SOT-227 SIC Schottky M
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): |
108a (DC) |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 V @ 100 A |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรีย์: |
Sic Schottky MPS ™ |
การกำหนดค่าไดโอด: |
2 อิสระ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
สทศ-227 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
สารกึ่งตัวนำ GeneSiC |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
กล่อง / กระเป๋า: |
SOT-227-4 มินิบล็อก |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
650 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ติดแชสซี |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
GD2X |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
5 µa @ 650 V |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): |
108a (DC) |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 V @ 100 A |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรีย์: |
Sic Schottky MPS ™ |
การกำหนดค่าไดโอด: |
2 อิสระ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
สทศ-227 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
สารกึ่งตัวนำ GeneSiC |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
กล่อง / กระเป๋า: |
SOT-227-4 มินิบล็อก |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
650 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ติดแชสซี |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
GD2X |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
5 µa @ 650 V |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
