ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	150A (กระแสตรง)	อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 175°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.8 โวลต์ @ 150 ก	แพ็คเกจ:	ท่อ
ซีรีย์:	Sic Schottky MPS ™	การกำหนดค่าไดโอด:	2 อิสระ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สทศ-227	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	0 น
Mfr:	สารกึ่งตัวนำ GeneSiC	เทคโนโลย:	SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky
กล่อง / กระเป๋า:	SOT-227-4 มินิบล็อก	แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	650 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ติดแชสซี	ความเร็ว:	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	GD2X	กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10 µa @ 650 V

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	150A (กระแสตรง)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 175°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.8 โวลต์ @ 150 ก
แพ็คเกจ:	ท่อ
ซีรีย์:	Sic Schottky MPS ™
การกำหนดค่าไดโอด:	2 อิสระ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สทศ-227
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	0 น
Mfr:	สารกึ่งตัวนำ GeneSiC
เทคโนโลย:	SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky
กล่อง / กระเป๋า:	SOT-227-4 มินิบล็อก
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	650 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ติดแชสซี
ความเร็ว:	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	GD2X
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10 µa @ 650 V