รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: SIC SBD 1200 V 50 A แบบคู่
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด | สถานะสินค้า: | กิจกรรม | กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): | 50A (DC) | อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | -55°C ~ 175°C | แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.8 โวลต์ @ 50 ก | แพ็คเกจ: | ท่อ | ซีรีย์: | - | การกำหนดค่าไดโอด: | 2 อิสระ | แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: | SOT-227 (ไอโซโทป®) | เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): | 0 น | Mfr: | เทคโนโลยีไมโครชิป | เทคโนโลย: | SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky | กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก | แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): | 1200 โวลต์ | ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี | ความเร็ว: | ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) | เลขสินค้าพื้นฐาน: | MSC2X51 | กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 200 µA @ 1200 V | 
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด | 
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม | 
| กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): | 50A (DC) | 
| อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: | -55°C ~ 175°C | 
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.8 โวลต์ @ 50 ก | 
| แพ็คเกจ: | ท่อ | 
| ซีรีย์: | - | 
| การกำหนดค่าไดโอด: | 2 อิสระ | 
| แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: | SOT-227 (ไอโซโทป®) | 
| เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): | 0 น | 
| Mfr: | เทคโนโลยีไมโครชิป | 
| เทคโนโลย: | SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky | 
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก | 
| แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): | 1200 โวลต์ | 
| ประเภทการติดตั้ง: | ติดแชสซี | 
| ความเร็ว: | ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) | 
| เลขสินค้าพื้นฐาน: | MSC2X51 | 
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 200 µA @ 1200 V |