ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	200A	อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-40°C ~ 175°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.8 โวลต์ @ 200 ก	แพ็คเกจ:	กล่อง
ซีรีย์:	-	การกำหนดค่าไดโอด:	การเชื่อมต่อซีรี่ส์ 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ดีทูพี	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	0 น
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป	เทคโนโลย:	SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky
กล่อง / กระเป๋า:	โมดูล	แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	1200 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ติดแชสซี	ความเร็ว:	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	MSCDC200	กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	800 μA @ 1200 V

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	200A
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-40°C ~ 175°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.8 โวลต์ @ 200 ก
แพ็คเกจ:	กล่อง
ซีรีย์:	-
การกำหนดค่าไดโอด:	การเชื่อมต่อซีรี่ส์ 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ดีทูพี
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	0 น
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป
เทคโนโลย:	SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky
กล่อง / กระเป๋า:	โมดูล
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	1200 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ติดแชสซี
ความเร็ว:	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	MSCDC200
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	800 μA @ 1200 V