รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: PM-DIODE-SIC-SBD-D1P
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): |
100A |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-40°C ~ 175°C |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 V @ 100 A |
แพ็คเกจ: |
กล่อง |
ซีรีย์: |
- |
การกำหนดค่าไดโอด: |
แคโทดทั่วไป 1 คู่ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ดีทูพี |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
กล่อง / กระเป๋า: |
โมดูล |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1700 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ติดแชสซี |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
MSCDC100 |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
400 μA @ 1700 V |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): |
100A |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-40°C ~ 175°C |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 V @ 100 A |
แพ็คเกจ: |
กล่อง |
ซีรีย์: |
- |
การกำหนดค่าไดโอด: |
แคโทดทั่วไป 1 คู่ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ดีทูพี |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
กล่อง / กระเป๋า: |
โมดูล |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1700 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ติดแชสซี |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
MSCDC100 |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
400 μA @ 1700 V |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
