ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10 μA @ 1200 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.29 V @ 30 A	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	eSMP®	ความจุ @ Vr, F:	132pf @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	เอสเอ็มพีดี	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	3.4 µs
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 175°C	กล่อง / กระเป๋า:	TO-263-3, D²Pak (2 สาย + แท็บ) Variant
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	1200 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	30A
ความเร็ว:	การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	SE30DT12

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10 μA @ 1200 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.29 V @ 30 A
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	eSMP®
ความจุ @ Vr, F:	132pf @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	เอสเอ็มพีดี
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	3.4 µs
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:	TO-263-3, D²Pak (2 สาย + แท็บ) Variant
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	1200 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	30A
ความเร็ว:	การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	SE30DT12