ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	300mA (กระแสตรง)	อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ซีรีย์:	กองทัพ, MIL-PRF-19500/4	การกำหนดค่าไดโอด:	7 เป็นอิสระ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	14-ซีดีไอพี	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	10 nS
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:	14-CDIP (0.300", 7.62 มม.)	แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	75 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ผ่านหลุม	ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	1N6511	กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	100 nA @ 40 V

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	300mA (กระแสตรง)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ซีรีย์:	กองทัพ, MIL-PRF-19500/4
การกำหนดค่าไดโอด:	7 เป็นอิสระ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	14-ซีดีไอพี
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	10 nS
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:	14-CDIP (0.300", 7.62 มม.)
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	75 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ผ่านหลุม
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	1N6511
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	100 nA @ 40 V