รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอดซิลคาร์บ 650V 18A HDSOP-10
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
20 µa @ 420 V |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
CoolSiC™+ |
ความจุ @ Vr, F: |
302pf @ 1V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
PG-HDSOP-10-1 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
อินฟินไอน เทคโนโลยี |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
กล่อง / กระเป๋า: |
โมดูล 10-Powersop |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
650 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
18ก |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
IDDD06 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
20 µa @ 420 V |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
CoolSiC™+ |
ความจุ @ Vr, F: |
302pf @ 1V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
PG-HDSOP-10-1 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
อินฟินไอน เทคโนโลยี |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
กล่อง / กระเป๋า: |
โมดูล 10-Powersop |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
650 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
18ก |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
IDDD06 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
