ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	4A	อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	580 mV @ 4 a	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101, eSMP®	การกำหนดค่าไดโอด:	แคโทดทั่วไป 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	TO-277A (เอสเอ็มพีซี)	Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	ชอตกี้	กล่อง / กระเป๋า:	TO-277, 3-PowerDFN
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	30 โวลต์	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	SS8P3
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	300 µa @ 30 V

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	4A
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	580 mV @ 4 a
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101, eSMP®
การกำหนดค่าไดโอด:	แคโทดทั่วไป 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	TO-277A (เอสเอ็มพีซี)
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	ชอตกี้
กล่อง / กระเป๋า:	TO-277, 3-PowerDFN
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	30 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	SS8P3
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	300 µa @ 30 V