ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	400mA (DC	อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	-	การกำหนดค่าไดโอด:	4 เป็นอิสระ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	8-SOIC	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	4 น
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.)	แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	50 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว	ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	S8-4150	กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	100 nA @ 50 โวลต์

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	400mA (DC
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	-
การกำหนดค่าไดโอด:	4 เป็นอิสระ
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	8-SOIC
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	4 น
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.)
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	50 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	S8-4150
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	100 nA @ 50 โวลต์