รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: SIC SBD 700 V 50 A TO-247
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): |
24ก |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 โวลต์ @ 10 ก |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรีย์: |
- |
การกำหนดค่าไดโอด: |
แคโทดทั่วไป 1 คู่ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-247-3 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-247-3 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
700 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
200µA @ 700V |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): |
24ก |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.8 โวลต์ @ 10 ก |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรีย์: |
- |
การกำหนดค่าไดโอด: |
แคโทดทั่วไป 1 คู่ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-247-3 |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-247-3 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
700 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
200µA @ 700V |
วิดีโอ
