ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	50A	อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.7 V @ 100 A	แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ซีรีย์:	-	การกำหนดค่าไดโอด:	แอโนดทั่วไป 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สามหอคอย	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	75 น
Mfr:	สารกึ่งตัวนำ GeneSiC	เทคโนโลย:	สมาธิ, ด้านกลับ
กล่อง / กระเป๋า:	สามหอคอย	แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ติดแชสซี	ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	MURT10060	กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	25 μA @ 50 V

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	50A
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.7 V @ 100 A
แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ซีรีย์:	-
การกำหนดค่าไดโอด:	แอโนดทั่วไป 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สามหอคอย
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	75 น
Mfr:	สารกึ่งตัวนำ GeneSiC
เทคโนโลย:	สมาธิ, ด้านกลับ
กล่อง / กระเป๋า:	สามหอคอย
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ติดแชสซี
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	MURT10060
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	25 μA @ 50 V