ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	200A	อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	750 มิลลิโวลต์ @ 200 ก	แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ซีรีย์:	-	การกำหนดค่าไดโอด:	แอโนดทั่วไป 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สามหอคอย	Mfr:	สารกึ่งตัวนำ GeneSiC
เทคโนโลย:	ช็อตตกี้ พลิกขั้ว	กล่อง / กระเป๋า:	สามหอคอย
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	35 โวลต์	ประเภทการติดตั้ง:	ติดแชสซี
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	MBRT40035
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	1 มิลลิแอมป์ @ 20 โวลต์

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	200A
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	750 มิลลิโวลต์ @ 200 ก
แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ซีรีย์:	-
การกำหนดค่าไดโอด:	แอโนดทั่วไป 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สามหอคอย
Mfr:	สารกึ่งตัวนำ GeneSiC
เทคโนโลย:	ช็อตตกี้ พลิกขั้ว
กล่อง / กระเป๋า:	สามหอคอย
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	35 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	ติดแชสซี
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	MBRT40035
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	1 มิลลิแอมป์ @ 20 โวลต์