รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: โมดูลไดโอด 200V 200A 3TOWER
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): |
200A |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 150°C |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.3 V @ 200 A |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
- |
การกำหนดค่าไดโอด: |
แอโนดทั่วไป 1 คู่ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
สามหอคอย |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
125 น |
Mfr: |
สารกึ่งตัวนำ GeneSiC |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
สามหอคอย |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
200 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ติดแชสซี |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
MURT40020 |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
25 μA @ 50 V |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): |
200A |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 150°C |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.3 V @ 200 A |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
- |
การกำหนดค่าไดโอด: |
แอโนดทั่วไป 1 คู่ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
สามหอคอย |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
125 น |
Mfr: |
สารกึ่งตัวนำ GeneSiC |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
สามหอคอย |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
200 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ติดแชสซี |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
MURT40020 |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
25 μA @ 50 V |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
