รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: Sic Schottky Diode 1200V 20A 3-P
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): |
33A (DC) |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.7 V @ 10 A |
แพ็คเกจ: |
เทปตัด (CT) เทปและกล่อง (TB) |
ซีรีย์: |
- |
การกำหนดค่าไดโอด: |
แคโทดทั่วไป 1 คู่ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ถึง -247ab |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
Global Power Technology-GPT |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-247-3 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1200 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
30 µa @ 1200 V |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด): |
33A (DC) |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.7 V @ 10 A |
แพ็คเกจ: |
เทปตัด (CT) เทปและกล่อง (TB) |
ซีรีย์: |
- |
การกำหนดค่าไดโอด: |
แคโทดทั่วไป 1 คู่ |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
ถึง -247ab |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
Global Power Technology-GPT |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-247-3 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1200 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
30 µa @ 1200 V |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
