ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10µA @ 800V	ประเภทการติดตั้ง:	ผ่านหลุม
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	920 มิลลิโวลต์ @ 1.2 ก	แพ็คเกจ:	เทปตัด (CT) เทปและกล่อง (TB)
ซีรีย์:	-	ความจุ @ Vr, F:	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	เป็นแกน	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	18 ไมโครวินาที
Mfr:	ซานเคน อิเล็กทริก อเมริกา	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-40°C ~ 150°C	กล่อง / กระเป๋า:	แกนโค้งรัศมี
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	800 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	1.2ก
ความเร็ว:	การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	โรคซาร์ส01

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10µA @ 800V
ประเภทการติดตั้ง:	ผ่านหลุม
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	920 มิลลิโวลต์ @ 1.2 ก
แพ็คเกจ:	เทปตัด (CT) เทปและกล่อง (TB)
ซีรีย์:	-
ความจุ @ Vr, F:	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	เป็นแกน
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	18 ไมโครวินาที
Mfr:	ซานเคน อิเล็กทริก อเมริกา
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-40°C ~ 150°C
กล่อง / กระเป๋า:	แกนโค้งรัศมี
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	800 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	1.2ก
ความเร็ว:	การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	โรคซาร์ส01