ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	3 μA @ 600 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.35 V @ 2 A	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	เฟรด Pt®	ความจุ @ Vr, F:	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-219AB (เอสเอ็มเอฟ)	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	55 น
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°ซ ~ 100°ซ	กล่อง / กระเป๋า:	DO-219AB
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	2A
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	2efu06

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	3 μA @ 600 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.35 V @ 2 A
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	เฟรด Pt®
ความจุ @ Vr, F:	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-219AB (เอสเอ็มเอฟ)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	55 น
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°ซ ~ 100°ซ
กล่อง / กระเป๋า:	DO-219AB
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	2A
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	2efu06