ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	62 µa @ 12 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.8 โวลต์ @ 10 ก	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	CoolSiC™+	ความจุ @ Vr, F:	29pf @ 800V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	PG-TO252-2	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	0 น
Mfr:	อินฟินไอน เทคโนโลยี	เทคโนโลย:	SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C	กล่อง / กระเป๋า:	TO-252-3, DPak (2 ลีด + แท็บ), SC-63
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	1200 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	38A
ความเร็ว:	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	IDM10G120

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	62 µa @ 12 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.8 โวลต์ @ 10 ก
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	CoolSiC™+
ความจุ @ Vr, F:	29pf @ 800V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	PG-TO252-2
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	0 น
Mfr:	อินฟินไอน เทคโนโลยี
เทคโนโลย:	SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
กล่อง / กระเป๋า:	TO-252-3, DPak (2 ลีด + แท็บ), SC-63
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	1200 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	38A
ความเร็ว:	ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	IDM10G120