รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอด SCHOTTKY 100V 1A DO213AB
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
100 μA @ 100 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
690 มิลลิโวลต์ @ 1 ก |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
ทหาร MIL-PRF-19500/586 |
ความจุ @ Vr, F: |
70pF @ 5V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
DO-213AB (เมลฟ์, LL41) |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
ชอตกี้ |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
DO-213AB, MELF (แก้ว) |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
100 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
1A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
100 μA @ 100 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
690 มิลลิโวลต์ @ 1 ก |
แพ็คเกจ: |
ขนาดใหญ่ |
ซีรีย์: |
ทหาร MIL-PRF-19500/586 |
ความจุ @ Vr, F: |
70pF @ 5V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
DO-213AB (เมลฟ์, LL41) |
Mfr: |
เทคโนโลยีไมโครชิป |
เทคโนโลย: |
ชอตกี้ |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-65°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
DO-213AB, MELF (แก้ว) |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
100 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
1A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
