ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด	สถานะสินค้า:	ปราศการ
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	4A	อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-65°C ~ 175°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	2.8 V @ 4 A	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT)
ซีรีย์:	Megahertz ™	การกำหนดค่าไดโอด:	แคโทดทั่วไป 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	D²PAK	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	35 nS
Mfr:	ออนเซมิ	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว	ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	murhb8	กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10 µA @ 600 V

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส อาร์เรย์ไดโอด
สถานะสินค้า:	ปราศการ
กระแส - การแก้ไขเฉลี่ย (Io) (ต่อไดโอด):	4A
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-65°C ~ 175°C
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	2.8 V @ 4 A
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT)
ซีรีย์:	Megahertz ™
การกำหนดค่าไดโอด:	แคโทดทั่วไป 1 คู่
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	D²PAK
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	35 nS
Mfr:	ออนเซมิ
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	murhb8
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10 µA @ 600 V