รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอดซิลคาร์โบไฮเดรต 650V 4A to220-2L
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
20 µa @ 650 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.6 V @ 4 A |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
16pf @ 650V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-220-2L |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
โตชิบา เซมคอนดักเตอร์และสเตอเรจ |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
175°C (สูงสุด) |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-220-2 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
650 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
4A |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
TRS4E65 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
20 µa @ 650 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.6 V @ 4 A |
แพ็คเกจ: |
ท่อ |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
16pf @ 650V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
TO-220-2L |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
0 น |
Mfr: |
โตชิบา เซมคอนดักเตอร์และสเตอเรจ |
เทคโนโลย: |
SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) Schottky |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
175°C (สูงสุด) |
กล่อง / กระเป๋า: |
TO-220-2 |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
650 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
4A |
ความเร็ว: |
ไม่มีเวลากู้คืน > 500mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
TRS4E65 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
