ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	5 μA @ 30 V	ประเภทการติดตั้ง:	ผ่านหลุม
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	600 มิลลิโวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT)
ซีรีย์:	-	ความจุ @ Vr, F:	50pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ดีโอ-35 (ดีโอ-204AH)	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	10 nS
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น	เทคโนโลย:	ชอตกี้
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	125°C (สูงสุด)	กล่อง / กระเป๋า:	DO-204AH, DO-35, แกน
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	40 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	-
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	SD103

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	5 μA @ 30 V
ประเภทการติดตั้ง:	ผ่านหลุม
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	600 มิลลิโวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT)
ซีรีย์:	-
ความจุ @ Vr, F:	50pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ดีโอ-35 (ดีโอ-204AH)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	10 nS
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	ชอตกี้
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	125°C (สูงสุด)
กล่อง / กระเป๋า:	DO-204AH, DO-35, แกน
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	40 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	-
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	SD103