logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
อ้างอิง

1N6663US

รายละเอียดสินค้า

เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง

คําอธิบาย: ไดโอด GEN PURP 600V 500MA D-5A

หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
เน้น:
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:
50 nA @ 600 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:
1 โวลต์ @ 400 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรีย์:
-
ความจุ @ Vr, F:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
D-5A
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
เทคโนโลย:
มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:
-65°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:
SQ-MELF, เอ
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):
600 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):
500mA
ความเร็ว:
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
1N6663
ประเภท:
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:
กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:
50 nA @ 600 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:
การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:
1 โวลต์ @ 400 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:
ขนาดใหญ่
ซีรีย์:
-
ความจุ @ Vr, F:
-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:
D-5A
Mfr:
เทคโนโลยีไมโครชิป
เทคโนโลย:
มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:
-65°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:
SQ-MELF, เอ
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):
600 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):
500mA
ความเร็ว:
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:
1N6663
1N6663US
ไดโอเดส 600 V 500mA ด้านผิว D-5A
ผลิตภัณฑ์คล้ายกัน
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด
หา ราคา ที่ ดี ที่สุด