ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	200 nA @ 50 โวลต์	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 15 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	-	ความจุ @ Vr, F:	2pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DFN1006-2L	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	5 น
Mfr:	บริษัท มิโครคอมเมอร์เชียล	เทคโนโลย:	ชอตกี้
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 125°C	กล่อง / กระเป๋า:	0402 (1006 เมตริก)
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	70 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	70mA
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ	เลขสินค้าพื้นฐาน:	BAS70

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	200 nA @ 50 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 15 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	-
ความจุ @ Vr, F:	2pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DFN1006-2L
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	5 น
Mfr:	บริษัท มิโครคอมเมอร์เชียล
เทคโนโลย:	ชอตกี้
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 125°C
กล่อง / กระเป๋า:	0402 (1006 เมตริก)
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	70 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	70mA
ความเร็ว:	สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ความเร็วใดๆ
เลขสินค้าพื้นฐาน:	BAS70