รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: Diode Aval 600V 1.5A DO219AB
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
5 μA @ 600 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.15 V @ 1.5 A |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT) |
ซีรีย์: |
ยานยนต์, AEC-Q101 |
ความจุ @ Vr, F: |
8.8pf @ 4V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
DO-219AB (เอสเอ็มเอฟ) |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
1.3 µs |
Mfr: |
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น |
เทคโนโลย: |
หิมะถล่ม |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
DO-219AB |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
600 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
1.5A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
5 μA @ 600 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.15 V @ 1.5 A |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT) |
ซีรีย์: |
ยานยนต์, AEC-Q101 |
ความจุ @ Vr, F: |
8.8pf @ 4V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
DO-219AB (เอสเอ็มเอฟ) |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
1.3 µs |
Mfr: |
Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น |
เทคโนโลย: |
หิมะถล่ม |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 175°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
DO-219AB |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
600 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
1.5A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
