ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	50 µa @ 120 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	980 mV @ 2 A	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101, eSMP®	ความจุ @ Vr, F:	140pF @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ไมโครเอสเอ็มพี (DO-219AD)	Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	ชอตกี้	อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-40°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:	ไมโครเอสเอ็มพี	แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	120 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	2A	ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	v2pm12

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	50 µa @ 120 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	980 mV @ 2 A
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101, eSMP®
ความจุ @ Vr, F:	140pF @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ไมโครเอสเอ็มพี (DO-219AD)
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	ชอตกี้
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-40°C ~ 175°C
กล่อง / กระเป๋า:	ไมโครเอสเอ็มพี
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	120 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	2A
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	v2pm12