ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	5 μA @ 600 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.3 V @ 800 Ma	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101	ความจุ @ Vr, F:	10pF @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ย่อย SMA	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	250 น
Mfr:	บริษัท เซมิคอนดักเตอร์ไต้หวัน	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C	กล่อง / กระเป๋า:	DO-219AB
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	800mA
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	อาร์เอส1เจ

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	5 μA @ 600 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.3 V @ 800 Ma
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR)
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101
ความจุ @ Vr, F:	10pF @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ย่อย SMA
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	250 น
Mfr:	บริษัท เซมิคอนดักเตอร์ไต้หวัน
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
กล่อง / กระเป๋า:	DO-219AB
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	800mA
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	อาร์เอส1เจ