รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: ไดโอเด่ GEN PURP 200V 3A DO214AB
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
10 μA @ 200 V |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 150°C |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
80pF @ 4V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
DO-214AB (บตท.) |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
50 น |
Mfr: |
บริษัท เซมิคอนดักเตอร์ไต้หวัน |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
DO-214AB บตท |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
200 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
3A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
HS3D |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
10 μA @ 200 V |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-55°C ~ 150°C |
ประเภทการติดตั้ง: |
การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: |
เทป & รีล (TR) |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
80pF @ 4V, 1MHz |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
DO-214AB (บตท.) |
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): |
50 น |
Mfr: |
บริษัท เซมิคอนดักเตอร์ไต้หวัน |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
กล่อง / กระเป๋า: |
DO-214AB บตท |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
200 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
3A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
HS3D |