รายละเอียดสินค้า
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
คําอธิบาย: โมดูลไดโอด Gen 1.2kV 735A โมดูล
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
40 mA @ 1200 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ติดแชสซี |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.4 V @ 2200 A |
แพ็คเกจ: |
ตะกร้า |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
โมดูล |
Mfr: |
อินฟินไอน เทคโนโลยี |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-40°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
โมดูล |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1200 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
735A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
DZ600N12 |
ประเภท: |
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
สถานะสินค้า: |
กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: |
40 mA @ 1200 V |
ประเภทการติดตั้ง: |
ติดแชสซี |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: |
1.4 V @ 2200 A |
แพ็คเกจ: |
ตะกร้า |
ซีรีย์: |
- |
ความจุ @ Vr, F: |
- |
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: |
โมดูล |
Mfr: |
อินฟินไอน เทคโนโลยี |
เทคโนโลย: |
มาตรฐาน |
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: |
-40°C ~ 150°C |
กล่อง / กระเป๋า: |
โมดูล |
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): |
1200 โวลต์ |
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): |
735A |
ความเร็ว: |
การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io) |
เลขสินค้าพื้นฐาน: |
DZ600N12 |
วิดีโอ
วิดีโอ
วิดีโอ
