ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	เลิกผลิตที่ Digi-Key
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10 µA @ 600 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.7 V @ 3 A	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	-	ความจุ @ Vr, F:	30pF @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-214AB (บตท.)	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	35 nS
Mfr:	บริษัท เซมิคอนดักเตอร์ไต้หวัน	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C	กล่อง / กระเป๋า:	DO-214AB บตท
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	3A
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	อีเอส3เจ

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	เลิกผลิตที่ Digi-Key
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	10 µA @ 600 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.7 V @ 3 A
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	-
ความจุ @ Vr, F:	30pF @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	DO-214AB (บตท.)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	35 nS
Mfr:	บริษัท เซมิคอนดักเตอร์ไต้หวัน
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
กล่อง / กระเป๋า:	DO-214AB บตท
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	3A
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	อีเอส3เจ