ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	5 µA @ 1200 V	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.2 โวลต์ @ 3 ก	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	-	ความจุ @ Vr, F:	60pF @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	SMC (DO-214AB)	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	2.5 ไมโครวินาที
Mfr:	ออนเซมิ	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C	กล่อง / กระเป๋า:	DO-214AB บตท
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	1200 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	3A
ความเร็ว:	การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	เอส3เอ็น

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	ไม่ เพื่อ การ ออกแบบ ใหม่
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	5 µA @ 1200 V
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.2 โวลต์ @ 3 ก
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) เทปตัด (CT) Digi-Reel®
ซีรีย์:	-
ความจุ @ Vr, F:	60pF @ 4V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	SMC (DO-214AB)
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	2.5 ไมโครวินาที
Mfr:	ออนเซมิ
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-55°C ~ 150°C
กล่อง / กระเป๋า:	DO-214AB บตท
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	1200 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	3A
ความเร็ว:	การกู้คืนมาตรฐาน >500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	เอส3เอ็น