ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	100 nA @ 200 โวลต์	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์	แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT)
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101	ความจุ @ Vr, F:	1.5pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ตัวเอง	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	50 น
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	175°C (สูงสุด)	กล่อง / กระเป๋า:	2-SMD ไม่มีสารตะกั่ว
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	200 โวลต์	ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	250mA
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	bav303

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
สถานะสินค้า:	กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:	100 nA @ 200 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1 โวลต์ @ 100 มิลลิแอมป์
แพ็คเกจ:	เทป & รีล (TR) คัทเทป (CT)
ซีรีย์:	ยานยนต์, AEC-Q101
ความจุ @ Vr, F:	1.5pF @ 0V, 1MHz
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	ตัวเอง
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	50 น
Mfr:	Vishay General Semiconductor - ดิโอเดส ดิวิชั่น
เทคโนโลย:	มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	175°C (สูงสุด)
กล่อง / กระเป๋า:	2-SMD ไม่มีสารตะกั่ว
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	200 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	250mA
ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)
เลขสินค้าพื้นฐาน:	bav303